[实用新型]一种集成器件有效
申请号: | 201922376502.5 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN210692516U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 苏陟;高强;黄郁钦;温嫦;欧艳玲 | 申请(专利权)人: | 广州方邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/32 | 分类号: | H01L23/32;H01L21/48 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510663 广东省广州市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 器件 | ||
1.一种集成器件,其特征在于,包括:
器件本体,所述器件本体至少包括两个间隔设置的电路板,两个所述电路板之间设置连接器,所述连接器包括绝缘体,所述绝缘体靠近所述电路板的一侧面设置若干导电体,所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有与所述导电体数量相等且位置对应的焊盘,所述导电体与所述焊盘抵接实现电导通,所述绝缘体相对的两侧面的两个所述导电体通过导电介质电导通,所述器件本体上沿其厚度方向贯穿开设有通孔;
热熔柱,所述热熔柱安装于所述通孔,所述热熔柱的两端分别延伸至凸出于所述器件本体相对的两侧面,所述热熔柱的端部热熔形成限位部,两个所述限位部夹紧所述器件本体。
2.根据权利要求1所述集成器件,其特征在于,所述热熔柱的外壁上凸出设置有限位凸起,所述限位凸起邻近于所述热熔柱的其中一个端部,所述热熔柱在热熔形成所述限位部前,所述限位凸起抵接所述器件本体的厚度方向的其中一个侧面。
3.根据权利要求2所述集成器件,其特征在于,所述热熔柱的外壁上环形设置有多个所述限位凸起。
4.根据权利要求1所述集成器件,其特征在于,所述通孔的孔壁上凹设有防转凹槽,所述防转凹槽沿所述器件本体的厚度方向贯穿所述器件本体,所述热熔柱的外壁上凸出设置有防转凸部,所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合;或,
所述热熔柱的外壁上凹设有所述防转凹槽,所述防转凹槽沿所述热熔柱的长度方向贯穿所述热熔柱,所述通孔的孔壁上凸出设置有所述防转凸部,所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合。
5.根据权利要求1所述集成器件,其特征在于,所述器件本体上至少设置三个所述热熔柱,至少三个所述热熔柱形成一个固定平面。
6.根据权利要求5所述集成器件,其特征在于,所述器件本体呈矩形,所述器件本体的四角位均设置所述热熔柱。
7.根据权利要求1所述集成器件,其特征在于,所述热熔柱呈锥形,所述通孔为与所述热熔柱相匹配的锥形孔。
8.根据权利要求1至7任一项所述集成器件,其特征在于,位于所述绝缘体同侧面的相邻两个所述导电体之间设置有胶膜层,所述胶膜层与所述电路板粘接。
9.根据权利要求1至7任一项所述集成器件,其特征在于,所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有元器件,所述绝缘体设置有用于容置所述元器件的容置孔或容置槽。
10.根据权利要求1至7任一项所述集成器件,其特征在于,所述焊盘和/或所述导电体上设置有凸起部。
11.根据权利要求10所述集成器件,其特征在于,所述凸起部为规则或不规则的立体几何状。
12.根据权利要求11所述的集成器件,其特征在于,所述凸起部的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状或块状。
13.根据权利要求10所述的集成器件,其特征在于,所述凸起部的表面为规则或不规则的弧形面。
14.根据权利要求10所述的集成器件,其特征在于,所述导电体的表面为粗糙面或平整面。
15.根据权利要求10所述的集成器件,其特征在于,所述凸起部的材质为铜、镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种或多种的组合。
16.根据权利要求10所述的集成器件,其特征在于,所述绝缘体的至少一侧面或/和所述凸起部上设有胶膜层,所述凸起部隐藏于所述胶膜层内或穿透所述胶膜层并暴露出来。
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