[实用新型]衬底和包含该衬底的存储器装置

权利要求书

1.一种衬底，其特征在于，包括：

芯层，由电介质材料形成，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；

第一导电图案，形成在所述芯层的第一表面上，所述第一导电图案包括第一信号线、第二信号线和电镀工艺线，并且所述第一信号线包括形成于其一端的第一电接触部分，所述第一电接触部分具有电镀层，并且所述第二信号线包括形成于其一端的第二电接触部分，所述第二电接触部分具有电镀层，所述电镀工艺线在第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层的电镀过程期间与所述第一信号线和第二信号线同时电连接，从而提供电镀所需的电流，其中，所述电镀工艺线还包括第一开口区域，第一信号线与所述第二信号线在所述第一开口区域断开电连接；以及

第一阻焊掩模，覆盖所述芯层的第一表面上的第一导电图案，并填充所述第一开口区域，所述第一电接触部分和第二电接触部分通过所述第一阻焊掩模中的开口暴露。

2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一信号线与所述电镀工艺线在所述第一开口区域断开电连接，所述第二信号线与所述电镀工艺线电连接。

3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一信号线和所述第二信号线在所述第一开口区域均与所述电镀工艺线断开电连接。

4.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除所述电镀工艺线的一部分而形成。

5.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述电镀工艺线还包括与第一开口区域在所述电镀工艺线上的位置不同的位置处的第二开口区域，所述第二信号线与所述电镀工艺线在所述第二开口区域断开电连接，并且

所述第一阻焊掩模填充所述第二开口区域。

6.如权利要求5所述的衬底，其特征在于：

所述第二开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除所述电镀工艺线的一部分而形成。

7.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一阻焊掩模是一体形成的。

8.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层由Ni、Au或其组合的材料形成。

9.如权利要求1-8中任一项所述的衬底，其特征在于，还包括：

第二导电图案，形成在所述芯层的第二表面上，并且包括第三信号线，所述第三信号线包括形成于其一端的第三电接触部分，所述第三电接触部分具有电镀层，所述电镀工艺线在第三电接触部分的电镀层的电镀过程期间，与所述第三信号线通过穿过所述芯层的导电通孔电连接，从而提供电镀所需的电流；

第二阻焊掩模，覆盖所述芯层的第二表面上的第二导电图案，且所述第三电接触部分通过所述第二阻焊掩模中的开口暴露；

其中，所述第三信号线与所述电镀工艺线在所述第一开口区域断开电连接；并且

其中，所述第一阻焊掩模和第二阻焊掩模填充所述导电通孔内的空间。

10.一种存储器装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的衬底。