[实用新型]一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉有效
申请号: | 201921776585.0 | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN210897225U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 韩云霄;杨波;李战国 | 申请(专利权)人: | 麦斯克电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 王海龙 |
地址: | 471000 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 热处理 耐高温 金属 沾污 | ||
本实用新型公开了一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉,包括石英舟,包括金属杆、套管、连接杆、手柄和防滑球;套管的内部设有用于支撑石英舟和硅片的金属杆,套管的一端水平插入石英舟的孔径内,套管的另一端通过多个固定螺丝分别连接在连接杆的两端,金属杆与连接杆相互垂直,金属杆位于连接杆的上方,连接杆的中部通过固定螺丝设有向下延伸的手柄,手柄的下端连接防滑球,防滑球的直径大于所述手柄的宽度;连接杆的两端外侧分别通过连接板设置用于限位金属杆的止挡结构;本实用新型加工简单,操作方便,可以有效减少目前加工过程中所引入的硅片金属沾污的弊端,提升硅片质量,为后续的芯片制作提供保障。
技术领域
本实用新型属于硅片热处理技术领域,具体涉及一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉。
背景技术
在半导体器件生产的过程中,金属离子的污染会极大地影响芯片的性能,造成电性能的下降。金属离子能在硅片中形成复合中心,从而造成少子寿命的降低,进而影响芯片的成品率及长期耐用性。为了满足超大规模集成电路发展的需求,除了改进单晶生长技术外,最主要的控制过程是在热处理阶段,但截止目前大多数热处理设备不具备自动上下硅片的能力,为搬运硅片,需使用石英舟和石英舟舟叉来配合使用。
目前使用的石英舟都为高纯石英材质,金属含量极低。由于热处理完成后石英舟难免会存在较高的温度,故现有技术中使用的石英舟舟叉多数为不锈钢金属材质,但是不锈钢金属与石英舟接触时,难免会存在金属与石英的磕碰,小部分的金属沾污,就可能造成硅片整体性能下降,甚至报废。故寻找一种材质制作既能耐高温,又能杜绝金属与石英舟接触的石英舟舟叉迫在眉睫。
实用新型内容
有鉴于此,为解决上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供了一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉,加工简单,操作方便,可以有效减少目前加工过程中所引入的硅片金属沾污的弊端,提升硅片质量,为后续的芯片制作提供保障。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:
一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉,包括石英舟,包括金属杆、套管、连接杆、手柄和防滑球;所述套管的内部设有用于支撑石英舟和硅片的金属杆,所述套管的一端水平插入石英舟的孔径内,套管的另一端通过多个固定螺丝分别连接在所述连接杆的两端,所述金属杆与连接杆相互垂直,金属杆位于连接杆的上方,所述连接杆的中部通过固定螺丝设有向下延伸的手柄,手柄的下端连接防滑球,所述防滑球的直径大于所述手柄的宽度;
所述连接杆的两端外侧分别通过连接板设置用于限位金属杆的止挡结构,所述止挡结构包括连接在连接杆上的转动轴、止挡杆,所述止挡杆的一端转动连接在转动轴上,止挡杆的另一端与套管相抵且设有向上延伸的限位板,所述限位板紧贴所述套管的外侧面设置。
进一步的,所述转动轴一侧设有用于限定转动轴的限位扣,转动轴7与连接杆3的夹角为60°。
进一步的,所述套管的外径小于石英舟孔径的内径,所述套管的内径大于金属杆的直径。
进一步的,所述套管的个数为2个,套管为聚酰亚胺套管。
进一步的,所述金属杆的个数为2个。
进一步的,所述连接杆、手柄和防滑球均采用聚四氟乙烯材质。
进一步的,所述固定螺丝的个数为6个。
进一步的,所述连接杆的端部与内部设有金属杆的套管的端部分别通过两个对称的固定螺丝连接,所述连接杆的中部通过两个对称的固定螺丝与手柄连接。
本实用新型的有益效果是:
与现有技术相比,本实用新型的一种硅片热处理用的耐高温及防金属沾污舟叉,加工简单,操作方便,可以有效减少目前加工过程中所引入的硅片金属沾污的弊端,提升硅片质量,为后续的芯片制作提供保障。具体表现在:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造