[实用新型]一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备

说明书

本实用新型公开一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备，用于IGBT芯片原料晶圆基片的限位放置与刻蚀，包括刻蚀设备本体，设置在刻蚀设备本体下方的反应器，反应器内具有反应腔体，反应腔体内设置有内衬、晶圆固定座；内衬卡合在反应腔体内部的侧壁内；反应腔体的底部设有漏斗状的清洁通道，清洁通道与涡轮泵连接；内衬包括一筒体和与筒体一体成型的内衬底盘；晶圆固定座包括固定座本体，固定座本体的底部设有长条状安装板，长条状安装板与放置板适配。本实用新型的加工设备可同时放置多个晶圆基片，使用等离子体对晶圆基片进行刻蚀，刻蚀形成具有平面栅、沟槽栅的复合栅结构的IGBT芯片，大大提高了刻蚀加工效率。

技术领域

本实用新型涉及芯片加工设备领域，具体涉及一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备，用于IGBT芯片原料晶圆基片的限位放置与刻蚀。

背景技术

目前，在半导体刻蚀的过程中，一般的芯片刻蚀设备包括反应腔，在反应腔内设置内衬对腔体进行保护，从而避免等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触。并且在刻蚀过程中，伴随产生的聚合物杂质沉积于内衬上，收集后去除以提高反应腔的清洁度。现有技术中，常用的内衬分为密布孔型环绕内衬或栏栅型环绕内衬。密布孔型环绕的内衬因为形成为多孔状，所以去除聚合物时难度偏高，工作量较大。

申请号201820936600.2的专利公开了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得反应腔的侧壁不会相对于晶片露出。该半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。但是用于具有复合栅结构的IGBT芯片的刻蚀加工，存在以下技术问题：1、无法同时限位放置多个晶圆基片进行刻蚀，无法形成具有平面栅、沟槽栅的复合栅结构的IGBT芯片，降低了刻蚀加工效率；2、刻蚀过程中散落的聚合物、杂质掉落在内衬上时，无法及时被涡轮泵制造的负压吸除，降低了清洁效率；3、杂质和聚合物溶液残存在反应腔体内而导致刻蚀效率降低。

实用新型内容

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

本实用新型提供一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备，用于IGBT芯片原料晶圆基片的限位放置与刻蚀，包括刻蚀设备本体，设置在刻蚀设备本体下方的反应器，反应器内具有反应腔体，反应腔体内设置有内衬、晶圆固定座；内衬卡合在反应腔体内部的侧壁内；反应腔体的底部设有漏斗状的清洁通道，清洁通道与涡轮泵连接；

所述内衬包括一筒体和与筒体一体成型的内衬底盘，内衬底盘呈圆环状，包括一中空内圆环与外侧圆环，中空内圆环内设有放置板，中空内圆环与外侧圆环之间的区域内环形阵列分布有弧状板，相邻的弧状板之间具有容聚合物下落的间隙；

所述晶圆固定座包括固定座本体，固定座本体的底部设有长条状安装板，长条状安装板与放置板适配；固定座本体的侧壁具有侧挡板，顶部设有晶圆放置腔，晶圆放置腔内平行设有若干个螺纹孔；螺纹孔螺纹连接有限位座；限位座包括设于上方的限位座本体和下方的螺杆，螺杆与螺纹孔适配。

作为本实用新型进一步的方案，所述反应腔体的内壁底部设有吹扫箱，吹扫箱内设有吹扫机构。

作为本实用新型进一步的方案，所述吹扫机构包括：吹风机、吹风口、防粘附板，吹风机设于吹扫箱的内部，若干个防粘附板设置在吹扫箱靠近清洁通道的壁部，防粘附板朝清洁通道的中轴线倾斜向下设置；吹风口设置在吹扫箱的内壁且位于相邻的防粘附板之间。

作为本实用新型进一步的方案，所述弧状板包括长边、短边、弧状边，长边的长度大于短边的长度，弧状边的两端分别与长边和短边连接，弧状边从长边侧向短边侧倾斜向下设置。