[实用新型]一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置

说明书

本实用新型涉及全光信号处理技术领域，尤其是一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置，包括光源部分和光纤斐索干涉仪两部分，光源部分包括第一激光器和第二激光器；第一激光器发出的信号光依次经过第一偏振控制器和第一波分复用器进入被测的半导体光放大器SOA；第二激光器发出的控制光经过调制器后依次经过第二偏振控制器和第一波分复用器同时进入被测的半导体光放大器SOA；从半导体光放大器SOA输出的光进入第二波分复用器；后进入光纤斐索干涉仪，根据干涉结果计算被测SOA的线宽增强因子。本实用新型结构简单，对外界不敏感，测量精度高，另外，在测量非线性相移和线宽增强因子时对信号光、控制光功率和偏置电流不做限制，适用范围较广。

技术领域

本实用新型涉及全光信号处理技术领域，尤其涉及一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置。

背景技术

半导体光放大器(SOA)具有功耗小、易集成和非线性效应显著的特点，是全光信号处理中重要的基础器件。交叉相位调制(XPM)是半导体光放大器的光 -光互作用之一，已用于全光缓存、全光开关、以及异或门等光信号处理器件。

SOA中交叉相位调制的研究多集中在应用方面，其机理方面的研究较少，且这些研究一般仅考虑影响交叉相位调制某些因素。

SOA的交叉相位调制是一个复杂的物理过程，这种调制产生的非线性相移与信号光、控制光和偏置电流都有关系，为此，需要测量SOA的交叉相位调制产生的相移，目前测量此相移的方法有两种，一种是马赫-曾德尔干涉测量法，另一种是光谱分析法。考虑到马赫-曾德尔干涉对环境敏感，测量结果易受外界因素影响，光谱分析法的实验结构复杂。因此，我们提出一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种测量半导体光放大器SOA线宽增强因子的装置，包括光源部分、待测半导体光放大器SOA、光纤斐索干涉仪；

所述光源部分包括用于发出波长为λ₁信号光的第一激光器LD1和用于发出波长为λ₂控制光的第二激光器LD2；

所述第一激光器LD1发出的λ₁信号光通过光纤依次经过第一偏振控制器PC1 和第一波分复用器WDM1进入被测半导体光放大器SOA；

所述第二激光器LD2发出的λ₂控制光通过光纤经过调制器将连续光变为脉冲光后，再依次经过第二偏振控制器PC2和第一波分复用器WDM1进入被测半导体光放大器SOA；

所述调制器上连接有用于调制信号的码型发生器PPG；

所述λ₁信号光和λ₂控制光通过第一波分复用器WDW1合束后经过被测半导体光放大器SOA输出后经过用于滤波的第二波分复用器WDM2，第二波分复用器 WDM2的光输出端通过光纤与所述光纤斐索干涉仪的输入端连接；

所述光纤斐索干涉仪内设有用于接收光的环行器，环行器设有第一端口、第二端口和第三端口；

所述第一端口与第二波分复用器WDM2的输出端相连接，用于接收第二波分复用器WDM2滤出后的光；

所述环行器的第二端口的一侧依次连接具有一定部分反射/部分透射的自聚焦透镜和用于反射光线的反射镜；

所述环行器的第三端口的一侧通过光纤连接用于检测干涉信号的光电探测器，其后连接用于记录波形及相应数据的高速示波器。

优选地，经过所述被测半导体光放大器SOA增益G引起的相移为：