[实用新型]晶圆承载及传送装置有效
| 申请号: | 201921111244.1 | 申请日: | 2019-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN210006714U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 邱海斌;严大生;蔡育源 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆 吸附 晶圆承载台 本实用新型 手臂 静电吸附 传送 下表面 减薄 安全传送 产品良率 传送装置 承载面 上表面 吸附面 破片 种晶 承载 | ||
本实用新型提供了一种晶圆承载及传送装置,包括:晶圆传送手臂,所述晶圆传送手臂的一端固定于基座,另一端为晶圆吸附端;所述晶圆吸附端的下表面设有吸附并固定晶圆的晶圆吸附面;晶圆承载台,所述晶圆承载台的上表面设有用于放置所述晶圆的晶圆承载面。本实用新型通过将晶圆静电吸附于晶圆传送手臂的晶圆吸附端的下表面,实现了对减薄晶圆的安全传送;通过设置具有合适尺寸的静电吸附的晶圆承载台,避免减薄晶圆在进行晶圆预对准时出现的破片风险,进而提升了产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造晶圆测试领域,特别是涉及一种晶圆承载及传送装置。
背景技术
在半导体集成电路的制造工艺中,晶圆的传送和预对准是晶圆在不同工艺制程间切换作业时所必须执行的步骤。稳定的晶圆传送及预对准过程对于产线良率的稳定与提升是必不可少的。
目前,晶圆的传送和预对准一般通过机械手臂及配置有预对准装置的承载台实现。然而,现有的机械手臂及承载台普遍针对未减薄过的常规晶圆进行配置,8英寸及以上晶圆的厚度一般大于700μm,自身具有一定的结构强度。此类机械手臂及承载台在处理减薄后的晶圆(厚度小于150μm)时,就有可能因为减薄晶圆自身强度问题而发生破片等异常。减薄晶圆因自身强度而发生的弯曲下垂还会导致预对准装置的晶圆预对准发生异常。
此外,如晶圆采用Taiko减薄工艺,即在晶圆背面减薄过程中保留晶圆边缘位置不作减薄的晶圆减薄工艺,虽然能够使晶圆保留一定的结构强度以防止晶圆变形翘曲,但常规的机械手臂并无法对下底面不平的Taiko晶圆进行安全有效的抓取和传送。这也使得Taiko晶圆的传送和预对准面临巨大的风险及挑战。
因此,有必要提出一种新的晶圆承载及传送装置,解决上述问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种晶圆承载及传送装置,用于解决现有技术中无法对减薄晶圆进行有效的传送和预对准的问题。
为实现上述目的及其它相关目的,本实用新型提供了一种晶圆承载及传送装置,包括:
晶圆传送手臂,所述晶圆传送手臂的一端固定于基座,另一端为晶圆吸附端;所述晶圆吸附端的下表面设有吸附并固定晶圆的晶圆吸附面;
晶圆承载台,所述晶圆承载台的上表面设有用于放置所述晶圆的晶圆承载面。
作为本实用新型的一种可选方案,所述晶圆吸附端包括环型结构梁,所述晶圆吸附面位于所述环型结构梁的下表面。
作为本实用新型的一种可选方案,所述环型结构梁包括吸附端静电吸附装置;所述吸附端静电吸附装置包括吸附端电极、吸附端线缆和吸附端静电充放装置;所述吸附端电极埋设于所述环型结构梁中,所述吸附端电极通过所述吸附端线缆连接所述吸附端静电充放装置。
作为本实用新型的一种可选方案,所述吸附端电极为多个,多个所述吸附端电极均匀分布于所述环型结构梁中平行于所述晶圆吸附面的平面内。
作为本实用新型的一种可选方案,所述环型结构梁的内径范围介于170mm至180mm之间;所述环型结构梁的外径范围介于190mm至200mm之间。
作为本实用新型的一种可选方案,所述晶圆承载台包括承载台静电吸附装置;所述承载台静电吸附装置包括承载台电极、承载台线缆和承载台静电充放装置;所述承载台电极埋设于所述晶圆承载台中,所述承载台电极通过所述承载台线缆连接所述承载台静电充放装置。
作为本实用新型的一种可选方案,所述承载台电极为多个,多个所述承载台电极均匀分布于所述晶圆承载台中平行于所述晶圆承载面的平面内。
作为本实用新型的一种可选方案,所述晶圆承载面为直径范围在150mm至160mm之间的圆形面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





