[实用新型]晶圆承载及传送装置有效
| 申请号: | 201921111244.1 | 申请日: | 2019-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN210006714U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 邱海斌;严大生;蔡育源 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆 吸附 晶圆承载台 本实用新型 手臂 静电吸附 传送 下表面 减薄 安全传送 产品良率 传送装置 承载面 上表面 吸附面 破片 种晶 承载 | ||
1.一种晶圆承载及传送装置,其特征在于,包括:
晶圆传送手臂,所述晶圆传送手臂的一端固定于基座,另一端为晶圆吸附端;所述晶圆吸附端的下表面设有吸附并固定晶圆的晶圆吸附面;
晶圆承载台,所述晶圆承载台的上表面设有用于放置所述晶圆的晶圆承载面。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述晶圆吸附端包括环型结构梁,所述晶圆吸附面位于所述环型结构梁的下表面。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述环型结构梁包括吸附端静电吸附装置;所述吸附端静电吸附装置包括吸附端电极、吸附端线缆和吸附端静电充放装置;所述吸附端电极埋设于所述环型结构梁中,所述吸附端电极通过所述吸附端线缆连接所述吸附端静电充放装置。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述吸附端电极为多个,多个所述吸附端电极均匀分布于所述环型结构梁中平行于所述晶圆吸附面的平面内。
5.根据权利要求2所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述环型结构梁的内径范围介于170mm至180mm之间;所述环型结构梁的外径范围介于190mm至200mm之间。
6.根据权利要求1所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述晶圆承载台包括承载台静电吸附装置;所述承载台静电吸附装置包括承载台电极、承载台线缆和承载台静电充放装置;所述承载台电极埋设于所述晶圆承载台中,所述承载台电极通过所述承载台线缆连接所述承载台静电充放装置。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述承载台电极为多个,多个所述承载台电极均匀分布于所述晶圆承载台中平行于所述晶圆承载面的平面内。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述晶圆承载面为直径范围在150mm至160mm之间的圆形面。
9.根据权利要求1所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述晶圆承载及传送装置还包括用于控制所述晶圆传送手臂和所述晶圆承载台传送及吸附所述晶圆的控制模块,所述控制模块连接所述晶圆传送手臂和所述晶圆承载台。
10.根据权利要求1所述的晶圆承载及传送装置,其特征在于:所述晶圆承载及传送装置还包括用于所述晶圆预对准的晶圆预对准模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





