[实用新型]工艺腔室及半导体加工设备

说明书

本实用新型提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，腔室盖设置在腔室本体的顶部，并在腔室盖上设置有供等离子体进入腔室本体内部的进入开口；绝缘筒设置在腔室盖上，与腔室盖上表面连接，且绝缘筒的内部与进入开口连通；基座设置在腔室本体的内部，并位于进入开口的下方，且进入开口的正投影至少完全覆盖整个基座的正投影。本实用新型提供的工艺腔室及半导体加工设备，能够减少掉落至基座上的加工副产物，从而提高基座吸附衬底的稳定性，减少清理频率，节约人力，提高生产效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体加工设备。

背景技术

目前，碳化硅(SiC)材料是一种极具潜力半导体材料，其能够应用于高温(600℃以上)、高压(1200V以上)、大功率和抗辐射系统下，并广泛用作微波功率器件的衬底材料。以碳化硅和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料凭借其优异的特性，可应用于硅(Si)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)难以胜任的场合，将成为半导体器件性能的突破口，正在迅速崛起。但是，颗粒沉积控制是碳化硅刻蚀的一个重要难点，刻蚀过程中的大量副产物如果无法迅速从腔室排出会给后续工艺产生巨大影响。

在现有技术中，碳化硅刻蚀机包括工艺腔室、基座、陶瓷筒和线圈，其中，线圈设置在陶瓷筒外侧，用于将经过陶瓷筒的工艺气体激发形成等离子体，等离子体经过陶瓷筒后，自工艺腔室的上盖中的通道进入工艺腔室内，基座放置在工艺腔室，并位于通道的下方，以使等离子体能够对基座上的衬底进行刻蚀。

但是，在现有技术中，刻蚀碳化硅产生的副产物会沉积在工艺腔室的上盖上，并且，由于上盖的正投影与基座的正投影有部分重合，沉积在上盖上的副产物，会掉落至基座上，对基座吸附衬底造成影响，这就需要频繁打开工艺腔室进行清理，导致耗费人力且严重影响量产效率。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体加工设备，其能够减少掉落至基座上的工艺副产物，从而提高基座吸附衬底的稳定性，减少清理频率，节约人力，提高生产效率。

为实现本实用新型的目的而提供一种工艺腔室，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，所述腔室盖设置在所述腔室本体的顶部，并在所述腔室盖上设置有供所述等离子体进入所述腔室本体内部的进入开口；

所述绝缘筒设置在所述腔室盖上，且与所述腔室盖上表面连接，且所述绝缘筒的内部与所述进入开口连通；

所述基座设置在所述腔室本体的内部，并位于所述进入开口的下方，且所述进入开口的正投影至少完全覆盖整个所述基座的正投影。

优选的，所述绝缘筒包括筒主体和环形连接部，其中，所述筒主体的内径小于所述进入开口的内径；

所述环形连接部与所述筒主体连接，并与所述腔室盖朝向所述腔室本体外部的一侧连接，且所述环形连接部的内部分别与所述进入开口和所述筒主体的内部连通，所述环形连接部的最小内径大于或等于所述筒主体的内径。

优选的，所述环形连接部的内径自其与所述筒主体连接的一端至其与所述腔室盖连接的另一端逐渐增大。

优选的，所述环形连接部包括圆台连接件，所述圆台连接件为圆台状，其内径最小的一端与所述筒主体的一端连接，内径最大的一端与所述腔室盖连接。

优选的，所述环形连接部包括弯折连接件，所述弯折连接件的一端与所述筒主体连接，并沿垂直于所述筒主体的轴线的方向，朝远离所述筒主体的方向延伸，另一端与所述腔室盖连接，并沿平行于所述筒主体的轴线的方向，朝远离所述腔室盖的方向延伸，且所述弯折连接件与所述筒主体连接的一端和与所述腔室盖连接的另一端延伸至相交并连接。

优选的，所述环形连接部与所述腔室盖连接于所述进入开口朝向所述腔室本体外部的端面。