[实用新型]工艺腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，所述腔室盖设置在所述腔室本体的顶部，并在所述腔室盖上设置有供所述等离子体进入所述腔室本体内部的进入开口；

所述绝缘筒设置在所述腔室盖上，与所述腔室盖上表面连接，且所述绝缘筒的内部与所述进入开口连通；

所述基座设置在所述腔室本体的内部，并位于所述进入开口的下方，且所述进入开口的正投影至少完全覆盖整个所述基座的正投影。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述绝缘筒包括筒主体和环形连接部，其中，所述筒主体的内径小于所述进入开口的内径；

所述环形连接部与所述筒主体连接，并与所述腔室盖朝向所述腔室本体外部的一侧连接，且所述环形连接部的内部分别与所述进入开口和所述筒主体的内部连通，所述环形连接部的最小内径大于或等于所述筒主体的内径。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部的内径自其与所述筒主体连接的一端至其与所述腔室盖连接的另一端逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部包括圆台连接件，所述圆台连接件为圆台状，其内径最小的一端与所述筒主体的一端连接，内径最大的一端与所述腔室盖连接。

5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部包括弯折连接件，所述弯折连接件的一端与所述筒主体连接，并沿垂直于所述筒主体的轴线的方向，朝远离所述筒主体的方向延伸，另一端与所述腔室盖连接，并沿平行于所述筒主体的轴线的方向，朝远离所述腔室盖的方向延伸，且所述弯折连接件与所述筒主体连接的一端和与所述腔室盖连接的另一端延伸至相交并连接。

6.根据权利要求2-5任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部与所述腔室盖连接于所述进入开口朝向所述腔室本体外部的端面。

7.根据权利要求2-5任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括线圈，所述线圈环绕在所述筒主体的周围，且所述线圈产生的电场能够覆盖至所述筒主体和所述环形连接部的内壁。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述线圈为立体线圈，所述立体线圈环绕在所述筒主体的周围，并沿所述筒主体的轴线方向朝靠近所述环形连接部的方向延伸。

9.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括抽真空装置，所述抽真空装置设置在所述腔室本体的底部，并在所述腔室本体的底壁上设置有排出通道，所述排出通道贯穿所述腔室本体的底壁，并分别与所述腔室本体的内部和所述抽真空装置连通，用于供所述抽真空装置抽出所述腔室本体内部的工艺副产物。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，采用如权利要求1-9任意一项的所述工艺腔室。