[实用新型]QFN封装器件结构

说明书

本实用新型公开一种QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片通过银浆安装在散热焊盘上，此散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，此导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述导电焊盘底面具有一导电凸点，此导电凸点的高度与导电焊盘宽度的比值为1:5~1:2，所述导电凸点位于导电焊盘内侧，所述导电凸点内侧曲面与导电焊盘底面的夹角小于其外侧曲面与导电焊盘底面的夹角，所述散热焊盘上具有多个凸块，所述芯片底面与凸块接触，部分所述银浆填充在凸块之间。本实用新型解决了导电焊盘虚接率较高，产品成型质量差、不良率高的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种QFN封装器件结构，属于半导体技术领域。

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能，而得到广泛应用。

但是，在现有技术中，部分QFN器件的导电焊盘完全收纳在封装体的底面，焊接过程中，由于需要将导电焊盘与PCB板上的触点连接，收纳在封装体下方的导电焊盘位于QFN器件与PCB之间，工作人员仅能从侧面观察其焊接情况，导电焊盘之间出现桥接时，工作人员能够及时发现并根据桥接情况进行解决，但是，工作人员难以通过直接观察发现导电焊盘的虚接，成型质量较差，易于出现不良产品。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种QFN封装器件结构，该QFN封装器件结构解决了导电焊盘虚接率较高，产品成型质量差、不良率高的问题。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片通过银浆安装在散热焊盘上，此散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，此导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述导电焊盘底面具有一导电凸点，此导电凸点的高度与导电焊盘宽度的比值为1:5~1:2。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述导电凸点位于导电焊盘内侧。

2. 上述方案中，所述导电凸点内侧曲面与导电焊盘底面的夹角小于其外侧曲面与导电焊盘底面的夹角。

3. 上述方案中，所述散热焊盘上具有多个凸块，所述芯片底面与凸块接触。

4. 上述方案中，部分所述银浆填充在凸块之间。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型QFN封装器件结构，其通过在导电焊盘上设置凸出环氧绝缘体底面的导电凸点，使导电焊盘具有伸出环氧绝缘体底面的部分，在通过锡膏与PCB上的触点电连接的同时，锡膏能够包覆住导电凸点并与导电焊盘接触，从而减小虚焊概率，提高焊接质量和产品质量；另外，位于导电焊盘内侧的导电凸点能够利用其外侧的曲面导向更多的锡膏流向外侧的导电焊盘，减小导电焊盘锡膏与散热焊盘处的锡膏桥接的概率，进一步提高焊接质量和产品质量。

附图说明

附图1为本实用新型QFN封装器件结构的剖视图。

以上附图中：1、芯片；2、散热焊盘；3、银浆；4、导电焊盘；5、导电凸点；6、凸块；101、引线；102、环氧绝缘体。

具体实施方式