[实用新型]QFN封装器件结构有效
| 申请号： | 201921096005.3 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN210325752U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 彭兴义 | 申请（专利权）人： | 盐城芯丰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 224100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qfn 封装 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种QFN封装器件结构，其特征在于：包括位于环氧绝缘体（102）中的散热焊盘（2）、芯片（1）和导电焊盘（4），所述芯片（1）通过银浆（3）安装在散热焊盘（2）上，此散热焊盘（2）周边设有若干个导电焊盘（4），此导电焊盘（4）和芯片（1）通过一引线（101）连接，所述导电焊盘（4）底面具有一导电凸点（5），此导电凸点（5）的高度与导电焊盘（4）宽度的比值为1:5~1:2。
2.根据权利要求1所述的QFN封装器件结构，其特征在于：所述导电凸点（5）位于导电焊盘（4）内侧。
3.根据权利要求2所述的QFN封装器件结构，其特征在于：所述导电凸点（5）内侧曲面与导电焊盘（4）底面的夹角小于其外侧曲面与导电焊盘（4）底面的夹角。
4.根据权利要求1所述的QFN封装器件结构，其特征在于：所述散热焊盘（2）上具有多个凸块（6），所述芯片（1）底面与凸块（6）接触。
5.根据权利要求4所述的QFN封装器件结构，其特征在于：部分所述银浆（3）填充在凸块（6）之间。
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