[实用新型]一种卷对卷化学水浴沉积系统及其除膜装置有效
申请号: | 201920952369.0 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN210245523U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 张德忠;王雪戈 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 水浴 沉积 系统 及其 装置 | ||
本实用新型提供了一种卷对卷化学水浴沉积系统及其除膜装置,涉及光伏电池技术领域。其中卷对卷化学水浴沉积系统的除膜装置,用于光伏基底的除膜;包括:辊轴、驱动件及支架组件;所述辊轴的一端与所述驱动件传动连接,所述辊轴的另一端通过所述支架组件支撑;所述辊轴用于收卷所述光伏基底上的保护膜。本实用新型通过设置的辊轴可以固定所述光伏基底上的保护膜,并在所述驱动件的驱动下进行转动收卷保护膜,并通过所述支撑组件支撑所述辊轴,保证所述辊轴转动的平稳性。利用机械控制的驱动件及辊轴去除保护膜,且此过程可在所述光伏基底进一步传输的过程中进行,不会浪费生产时间,保持电池生产线的产能。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池技术领域,具体而言,涉及一种卷对卷化学水浴沉积系统及其除膜装置。
背景技术
铜铟镓硒电池目前不论实验室研发效率以及组件量产效率,已经和晶硅电池不相上下,薄膜铜铟镓硒电池已经逐步走向产业化。相比晶硅类电池,铜铟镓硒电池的厚度可为晶硅电池的百分之一。因此,铜铟镓硒薄膜电池可以沉积在柔性衬底,制备可弯曲的柔性薄膜电池。在柔性薄膜产业化进程中,如何进一步提高电池的光电转换效率和降低组件成本一直是各个企业致力发展的方向。其中,除了主要关注光伏材料本身的特性改善(吸收层铜铟镓硒,缓冲层,窗口层的优化改善)外,还会关注对生产工艺或设备的优化改善。目前,柔性的铜铟镓硒薄膜电池各功能层主要是通过卷对卷的生产工艺制备,在现有柔性薄膜铜铟镓硒电池缓冲层制备中,主要方式之一是非真空的水浴法沉积。柔性基底经过放卷系统平铺,经过沉积系统,沉积缓冲层材料,进一步处理后收卷。
现有技术中柔性薄膜电池缓冲层通过水浴方法沉积制备,可以通过卷对卷设备、水浴法沉积缓冲层材料,其中,铜铟镓硒为无机非金属化合物,膜层脆并且不耐刮划,目前柔性薄膜铜铟镓硒电池制备中,由于吸收层的自身特点所决定,在吸收层沉积后,在收卷过程中,会对膜层覆盖一层塑料薄膜,起到保护膜层表面的作用。但是,在进行下一道工序缓冲层沉积之前,需要单独增加一道工序,把塑料薄膜去除,浪费生产时间、降低生产效率。
实用新型内容
为解决现有技术中生产效率低的技术问题,本实用新型的主要目的在于,提供一种提高生产效率的卷对卷化学水浴沉积系统及其除膜装置。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种卷对卷化学水浴沉积系统的除膜装置,用于光伏基底的除膜;包括:辊轴、驱动件及支架组件;所述辊轴的一端与所述驱动件传动连接,所述辊轴的另一端通过所述支架组件支撑;所述辊轴用于收卷所述光伏基底上的保护膜。
本实用新型第一实施例提供的卷对卷化学水浴沉积系统的除膜装置,通过设置的辊轴可以固定所述光伏基底上的保护膜,并在所述驱动件的驱动下进行转动收卷保护膜,并通过所述支撑组件支撑所述辊轴,保证所述辊轴转动的平稳性。利用机械控制的驱动件及辊轴去除保护膜,且此过程可在所述光伏基底进一步传输的过程中进行,不会浪费生产时间,保持电池生产线的产能。
进一步地,在本实用新型一个较佳的实施例中,所述支架组件包括:支座、升降机构及导轨,所述支座的一端与所述导轨滑动连接,所述支座的另一端用于支撑所述辊轴;所述支座与所述升降机构传动连接,且所述升降机构带动所述支座升降。
第二方面,本实用新型实施例提供了一种卷对卷化学水浴沉积系统,包括放卷装置、沉积装置、收卷装置及上述任一项所述的卷对卷化学水浴沉积系统的除膜装置;
所述放卷装置、所述沉积装置及所述收卷装置依次传动连接,所述放卷装置与所述除膜装置传动连接;由所述放卷装置释放的所述光伏基底依次经过所述沉积装置,并收卷于所述收卷装置;且所述光伏基底上的保护膜收卷于所述除膜装置的所述辊轴上。
本实用新型第二实施例提供的一种卷对卷化学水浴沉积系统,所述放卷装置传动连接有所述除膜装置,使得当所述光伏基底经过所述放卷装置后,在所述除膜装置处除去保护膜,除去保护膜的所述光伏基底传输至所述沉积装置及所述收卷装置实现光伏基底的正常沉积及收卷过程,两个过程可以同步进行,不会浪费额外的生产时间,保持产线产能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的