[实用新型]一种低内阻MOS封装结构

说明书

本实用新型涉及一种低内阻MOS封装结构，包括塑封体、引线框架和clip铜片；塑封体包裹在引线框架和铜片的外侧；引线框架包括载片岛、载片岛一侧的第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚；引线框架还包括载片岛另一侧的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚；第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；MOS管芯片通过焊料安装在载片岛之上；clip铜片通过焊料和MOS管芯片的源极相连接，且通过焊料依次和第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；第四引线脚通过键合线或clip铜片夹扣的方式与MOS管芯片的栅极相连；一侧引线脚开设圆孔。本实用新型可以增加clip铜片和MOS管芯片的接触面积，从而降低接触电阻，增加电流承载能力。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装领域，特别涉及一种低内阻MOS封装结构。

背景技术

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即 MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole) 和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴装则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。

当今大多数电子产品设计都要求高能源效率，包括非消费型电子设备在内，例如工业马达驱动器和电信网络基础设施。对于电源而言，同样需要高功率密度和可靠性，同时需要低的功率损耗。设计人员需要设法通过芯片极创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种低内阻MOS封装结构。

本实用新型所采用的技术方案如下：

一种低内阻MOS封装结构，包括塑封体、引线框架和clip铜片；塑封体包裹在引线框架和铜片的外侧；引线框架包括载片岛、载片岛一侧的第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚；引线框架还包括载片岛另一侧的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚；第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；载片岛的另一侧和单排的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚相连；MOS管芯片通过焊料安装在所述载片岛之上；clip 铜片通过焊料和MOS管芯片的源极相连接，且通过焊料依次和所述第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；所述第四引线脚通过键合线或clip铜片夹扣的方式与所述MOS管芯片的栅极相连；所述第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚均开设圆孔。

其进一步的技术特征为：所述塑封体为扁平无引脚的矩形。

其进一步的技术特征为：所述clip铜片沿其长度方向的一边开设圆弧形缺口。

其进一步的技术特征为：所述第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、第四引线脚、第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚的厚度均为 0.5mm。

其进一步的技术特征为：所述栅极键合线的材质为金线、铜线或铝线。

本实用新型的有益效果如下：

1、clip铜片通过焊料和MOS管芯片的源极相连，同时通过焊料和第一引线脚至第三引线脚相连，从而将MOS管芯片的源极端引出。

2、第四引线脚可以通过各连接方式与MOS管芯片的栅极相连，从而将 MOS管芯片的栅极端引出。