[实用新型]一种低内阻MOS封装结构有效
| 申请号： | 201920878804.X | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN209963052U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 袁宏承 | 申请（专利权）人： | 无锡市宏湖微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 32376 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张悦 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线脚 引线框架 铜片 载片 焊料 芯片 本实用新型 塑封体 电流承载能力 降低接触电阻 封装结构 栅极相连 低内阻 键合线 铜片夹 圆孔 源极 | ||
1.一种低内阻MOS封装结构，其特征在于：包括塑封体(1)、引线框架(2)和clip铜片(3)；塑封体(1)包裹在引线框架(2)和铜片(3)的外侧；引线框架(2)包括载片岛(4)、载片岛(4)一侧的第一引线脚(51)、第二引线脚(52)、第三引线脚(53)和第四引线脚(54)；引线框架(2)还包括载片岛(4)另一侧的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)；第一引线脚(51)、第二引线脚(52)和第三引线脚(53)相连；载片岛(4)的另一侧和单排的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)相连；MOS管芯片(7)通过焊料安装在所述载片岛(4)之上；clip铜片通过焊料和MOS管芯片(7)的源极相连接，且通过焊料依次和所述第一引线脚(51)、第二引线脚(52)和第三引线脚(53)相连；所述第四引线脚(54)通过键合线或clip铜片(3)夹扣的方式与所述MOS管芯片(7)的栅极相连；所述第一引线脚(51)、第二引线脚(52)、第三引线脚(53)和第四引线脚(54)均开设圆孔(8)。
2.根据权利要求1所述的低内阻MOS封装结构，其特征在于：所述塑封体(1)为扁平无引脚的矩形。
3.根据权利要求1所述的低内阻MOS封装结构，其特征在于：所述clip铜片(3)沿其长度方向的一边开设圆弧形缺口。
4.根据权利要求1所述的低内阻MOS封装结构，其特征在于：所述第一引线脚(51)、第二引线脚(52)、第三引线脚(53)、第四引线脚(54)、第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)的厚度均为0.5mm。
5.根据权利要求1所述的低内阻MOS封装结构，其特征在于：所述栅极键合线的材质为金线、铜线或铝线。
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