[实用新型]一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池

说明书

本实用新型公开一种P型MWT‑TOPCon晶体硅太阳能电池，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅表面的二氧化硅层，二氧化硅层表面的掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层表面的氧化铝/氮化硅叠层，多个不连续的穿透氧化铝/氮化硅叠层与掺硼多晶硅接触的第一金属，以及覆盖在氧化铝/氮化硅叠层的氮化硅膜表面的第二金属；所述P型硅衬底正面受光面由内往外依次设置为P型硅表面的掺杂磷的n+层，以及掺杂磷的n+层表面的氮化硅钝化层。本实用新型使得PERC电池背面的金属与硅接触处的少数载流子复合被有效减少，电池效率得到进一步提高，并且本实用新型结合MWT技术，电池的受光面栅线被一部分移到电池背面，减少遮光，进一步提高电池效率。

技术领域

本实用新型涉及一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，属于晶体硅太阳能电池技术领域。

背景技术

P型晶体硅太阳能电池背面通过钝化膜钝化，背面局部铝背场接触的PERC晶体硅太阳电池已经得到大规模的产业化，产业化效率也达到21.5% 以上。背面局部铝背场接触的接触处存在少数载流子复合仍旧比较大的缺陷，限制了产业化PERC晶体硅电池转换效率的进一步提高。

实用新型内容

实用新型目的：针对现有技术中存在的问题与不足，本实用新型提供一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且本实用型结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率。

技术方案：一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅表面的二氧化硅层，二氧化硅层表面的掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层表面的氧化铝/氮化硅叠层，以及第一金属和氧化铝/氮化硅叠层的氮化硅膜表面的第二金属；所述P型硅衬底正面受光面由内往外依次设置为P型硅表面掺杂磷的n+层，以及n+层表面的氮化硅钝化层。

所述氮化硅钝化层上设置有银电极，银电极包括负电极点、主栅线和副栅线，其中副栅线穿透氮化硅钝化层与n+层接触，主栅线通过负电极点、电池孔洞绕穿到电池背面，主栅线与副栅线相连，电池孔洞内壁设有用于防止正面负电极与P型硅导通的绝缘层。

所述第一金属为多个不连续的穿透氧化铝/氮化硅叠层接触掺硼多晶硅层的金属。

所述氮化硅膜表面的第二金属覆盖在氧化铝/氮化硅叠层表面，不穿透氧化铝/氮化硅叠层。

所述第一金属为银铝金属，第二金属为铝金属。

所述二氧化硅层的厚度为0.5-2nm。

所述掺硼多晶硅层的厚度为10-100nm。

所述氧化铝/氮化硅叠层由内往外依次包括氧化铝膜和氮化硅膜；所述氧化铝膜的厚度为1-20nm，所述氮化硅膜的厚度为50-200nm。

所述n+层厚度为100- 600nm。

有益效果：与现有技术相比，本实用新型提供的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，使得PERC电池背面的金属与硅接触处的少数载流子复合被有效减少，电池效率得到进一步提高，并且本实用新型结合MWT技术，电池的受光面栅线被一部分移到电池背面，减少遮光，进一步提高电池效率。

附图说明

图1是本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。