[实用新型]一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池有效

申请号：	201920423731.5	申请日：	2019-03-29
公开（公告）号：	CN209729916U	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	张高洁;路忠林;吴仕梁;张凤鸣	申请（专利权）人：	江苏日托光伏科技股份有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙)	代理人：	李玉平<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	本实用新型氮化硅氧化铝掺硼叠层电池效率受光面金属掺杂晶体硅太阳能电池电池二氧化硅层表面氮化硅钝化层氮化硅膜表面多晶硅层表面多晶硅接触二氧化硅层少数载流子衬底背面衬底正面电池背面多晶硅层依次设置有效减少不连续复合被接触处衬底栅线遮光穿透覆盖
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【权利要求书】：

1.一种P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：包括P型硅衬底，所述P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅表面的二氧化硅层，二氧化硅层表面的掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层表面的氧化铝/氮化硅叠层，以及第一金属和氧化铝/氮化硅叠层的氮化硅膜表面的第二金属；所述P型硅衬底正面受光面由内往外依次设置为P型硅表面掺杂磷的n+层，以及n+层表面的氮化硅钝化层。

2.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅钝化层上设置有银电极，银电极包括负电极点、主栅线和副栅线，其中副栅线穿透氮化硅钝化层与n+层接触，主栅线通过负电极点、电池孔洞绕穿到电池背面，主栅线与副栅线相连，电池孔洞内壁设有用于防止正面负电极与P型硅导通的绝缘层。

3.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述第一金属为多个不连续的穿透氧化铝/氮化硅叠层接触掺硼多晶硅层的金属。

4.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅膜表面的第二金属覆盖在氧化铝/氮化硅叠层表面，不穿透氧化铝/氮化硅叠层。

5.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述第一金属为银铝金属，第二金属为铝金属。

6.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度为0.5-2nm。

7.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述掺硼多晶硅层的厚度为10-100nm。

8.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述氧化铝/氮化硅叠层由内往外依次包括氧化铝膜和氮化硅膜；所述氧化铝膜的厚度为1-20nm，所述氮化硅膜的厚度为50-200nm。

9.如权利要求1所述的P型MWT-TOPCon晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述n+层厚度为100- 600nm。

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