[实用新型]一种提高大功率SiC器件的散热结构

说明书

本实用新型公开了一种提高大功率SiC器件的散热结构，包括壳体，壳体的下表面开设有放置槽，所述的左、右侧壁开设有均匀分布的散热孔，散热孔的内侧壁插接有插块，插块的内侧壁开设有储液槽，插块的外侧壁一体成型有散热板，壳体的前、后侧壁均开设有排热口，通过壳体和放置槽的配合使用，使大功率SiC器件放置到壳体内，对大功率SiC器件进行防护，通过散热孔、插块、散热板和排热口的配合使用，能够将大功率SiC器件产生的热量通过散热孔内插入的插块进行快速导热，通过散热板增加散热的面积，进而增加散热效率，插块内开设的储液槽内放入导热液能够加快热量的传递，进而有效增加热量的扩散。

技术领域

本实用新型涉及SiC器件散热技术领域，具体为一种提高大功率SiC器件的散热结构。

背景技术

SIC大功率器件在半导体方面主要有SIC二极管，SIC MOSFET和带SIC二极管的IGBT。SIC材料由于有是高带隙材料，所以SIC材料的耐压高，而导通阻抗很低，是高功率，高频率，高电压，高温器件首选。

现有的SIC二极管一般都是通过导热绝缘硅胶帽进行导热和防护，但是导热绝缘硅胶帽只是单一的通过自身的导热性导热，其散热效果不够明显，需要对其进行改进，以增加散热效率，为此特提出一种提高大功率SiC器件的散热结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高大功率SiC器件的散热结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种提高大功率SiC器件的散热结构，包括壳体，所述壳体的下表面开设有放置槽，所述壳体的左、右侧壁开设有均匀分布的散热孔，所述散热孔的内侧壁插接有插块，所述插块的内侧壁开设有储液槽，所述插块的外侧壁一体成型有散热板，所述壳体的前、后侧壁均开设有排热口。

优选的，所述壳体的外侧壁一体成型有支撑杆，所述支撑杆的外侧壁固定连接有限位环，所述散热板的外侧壁开设有与支撑杆相匹配的插孔，所述支撑杆的外侧壁插接于插孔内。

优选的，所述散热板的外侧壁固定连接有卡爪，所述壳体的外侧壁开设有与卡爪相匹配的卡槽，所述卡爪的外侧壁插接于卡槽内。

优选的，所述放置槽的内侧壁一体成型有两个限位块，所述排热口位于两个所述限位块之间。

优选的，所述散热板的外侧壁固定连接有均匀分布的散热片。

优选的，所述壳体由硅胶层、石墨烯层和导热橡胶层组成，且硅胶层、石墨烯层和导热橡胶层由内至外依次贴合。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：一种提高大功率SiC器件的散热结构，通过壳体和放置槽的配合使用，使大功率SiC器件放置到壳体内，对大功率SiC器件进行防护，通过散热孔、插块、散热板和排热口的配合使用，能够将大功率SiC器件产生的热量通过散热孔内插入的插块进行快速导热，通过散热板增加散热的面积，进而增加散热效率，插块内开设的储液槽内放入导热液能够加快热量的传递，进而有效增加热量的扩散。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型结构仰视图。

图中：1壳体、2放置槽、3散热孔、4插块、5储液槽、6散热板、7排热口、8支撑杆、9限位环、10插孔、11卡爪、12卡槽、13限位块、14散热片、15硅胶层、16石墨烯层、17导热橡胶层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。