[实用新型]一种提高大功率SiC器件的散热结构有效
| 申请号: | 201920241156.7 | 申请日: | 2019-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN209344061U | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
| 发明(设计)人: | 白欣娇;崔素杭;李帅;元利勇 | 申请(专利权)人: | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473 |
| 代理公司: | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人: | 周大伟 |
| 地址: | 050200 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 插块 散热孔 壳体 散热板 散热结构 储液槽 放置槽 内侧壁 排热口 本实用新型 快速导热 散热效率 一体成型 导热液 后侧壁 外侧壁 下表面 右侧壁 散热 插接 放入 防护 体内 扩散 传递 | ||
1.一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)的下表面开设有放置槽(2),所述壳体(1)的左、右侧壁开设有均匀分布的散热孔(3),所述散热孔(3)的内侧壁插接有插块(4),所述插块(4)的内侧壁开设有储液槽(5),所述插块(4)的外侧壁一体成型有散热板(6),所述壳体(1)的前、后侧壁均开设有排热口(7)。
2.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述壳体(1)的外侧壁一体成型有支撑杆(8),所述支撑杆(8)的外侧壁固定连接有限位环(9),所述散热板(6)的外侧壁开设有与支撑杆(8)相匹配的插孔(10),所述支撑杆(8)的外侧壁插接于插孔(10)内。
3.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述散热板(6)的外侧壁固定连接有卡爪(11),所述壳体(1)的外侧壁开设有与卡爪(11)相匹配的卡槽(12),所述卡爪(11)的外侧壁插接于卡槽(12)内。
4.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述放置槽(2)的内侧壁一体成型有两个限位块(13),所述排热口(7)位于两个所述限位块(13)之间。
5.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述散热板(6)的外侧壁固定连接有均匀分布的散热片(14)。
6.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述壳体(1)由硅胶层(15)、石墨烯层(16)和导热橡胶层(17)组成,且硅胶层(15)、石墨烯层(16)和导热橡胶层(17)由内至外依次贴合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同辉电子科技股份有限公司,未经同辉电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920241156.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





