[实用新型]一种提高大功率SiC器件的散热结构有效

专利信息
申请号: 201920241156.7 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN209344061U 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 白欣娇;崔素杭;李帅;元利勇 申请(专利权)人: 同辉电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473
代理公司: 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 代理人: 周大伟
地址: 050200 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 插块 散热孔 壳体 散热板 散热结构 储液槽 放置槽 内侧壁 排热口 本实用新型 快速导热 散热效率 一体成型 导热液 后侧壁 外侧壁 下表面 右侧壁 散热 插接 放入 防护 体内 扩散 传递
【权利要求书】:

1.一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)的下表面开设有放置槽(2),所述壳体(1)的左、右侧壁开设有均匀分布的散热孔(3),所述散热孔(3)的内侧壁插接有插块(4),所述插块(4)的内侧壁开设有储液槽(5),所述插块(4)的外侧壁一体成型有散热板(6),所述壳体(1)的前、后侧壁均开设有排热口(7)。

2.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述壳体(1)的外侧壁一体成型有支撑杆(8),所述支撑杆(8)的外侧壁固定连接有限位环(9),所述散热板(6)的外侧壁开设有与支撑杆(8)相匹配的插孔(10),所述支撑杆(8)的外侧壁插接于插孔(10)内。

3.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述散热板(6)的外侧壁固定连接有卡爪(11),所述壳体(1)的外侧壁开设有与卡爪(11)相匹配的卡槽(12),所述卡爪(11)的外侧壁插接于卡槽(12)内。

4.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述放置槽(2)的内侧壁一体成型有两个限位块(13),所述排热口(7)位于两个所述限位块(13)之间。

5.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述散热板(6)的外侧壁固定连接有均匀分布的散热片(14)。

6.根据权利要求1所述的一种提高大功率SiC器件的散热结构,其特征在于:所述壳体(1)由硅胶层(15)、石墨烯层(16)和导热橡胶层(17)组成,且硅胶层(15)、石墨烯层(16)和导热橡胶层(17)由内至外依次贴合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同辉电子科技股份有限公司,未经同辉电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920241156.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top