[实用新型]一种低热阻的厚膜多层布线结构有效
| 申请号： | 201920175266.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209544335U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 郑静;卫敏;董晓伟;何汉波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟;金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 厚膜 内层导体 低热阻 顶层 焊区 多层布线基板 多层布线结构 本实用新型 功率芯片 厚膜导体 基板 混合集成电路 背面金属化 大功率芯片 基板上表面 基板下表面 金属化材料 印刷 多层布线 过孔导体 厚膜基板 厚膜介质 技术目标 降低功率 散热通道 芯片散热 印刷介质 纵向设置 导体 孔结构 上表面 阵列式 散热 热阻 焊接 组装 | ||
【权利要求书】：
1.一种低热阻的厚膜多层布线结构，包括基板(1)，所述基板(1)为厚膜基板，其特征在于：所述基板(1)下表面印刷背面金属化材料，所述金属化材料为厚膜导体，所述基板(1)上表面印刷内层导体(2)和顶层焊区(5)；
所述内层导体(2)为厚膜导体，所述内层导体(2)为N个，1≤N≤3，所述内层导体(2)之间印刷介质(3)，所述介质(3)为厚膜介质；
所述介质(3)上纵向设置过孔(4)，所述过孔(4)上设置厚膜过孔导体；
所述顶层焊区(5)为厚膜焊接导体，所述顶层焊区(5)上表面上组装功率芯片(6)。
2.根据权利要求1所述的低热阻的厚膜多层布线结构，其特征在于：所述过孔(4)为多个，所述过孔(4)成矩阵排列。
3.根据权利要求2所述的低热阻的厚膜多层布线结构，其特征在于：所述单个过孔(4)尺寸为0.5mm*0.5mm，各过孔(4)间距0.3-0.4mm。
4.根据权利要求1所述的低热阻的厚膜多层布线结构，其特征在于：所述基板(1)为氧化铍基片。
5.根据权利要求1所述的低热阻的厚膜多层布线结构，其特征在于：所述基板(1)为氧化铝基片。
6.根据权利要求1所述的低热阻的厚膜多层布线结构，其特征在于：所述内层导体(2)个数N＝2。
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