[发明专利]封装结构及其成型方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括基板及重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块，至少所述金属凸块的周缘覆盖有种子层，且相邻金属凸块的种子层之间相互断开。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述种子层包括相连的第一种子层、第二种子层及第三种子层，所述第一种子层位于所述金属凸块的周缘，所述第二种子层位于所述金属凸块远离所述基板的一侧表面，所述第三种子层位于所述基板上，且相邻的所述第三种子层之间相互断开。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二种子层围设形成一开口以暴露出所述金属凸块。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述种子层为钛层。

5.一种封装结构的成型方法，其特征在于，包括步骤：

于晶圆基板上形成重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块；

至少于所述金属凸块的周缘形成种子层，且相邻金属凸块的种子层之间相互断开；

切割晶圆基板以形成相互独立的多个封装结构。

6.根据权利要求5所述的成型方法，其特征在于，步骤“至少于所述金属凸块的周缘形成种子层”具体包括：

于晶圆基板上方涂布光阻；

通过曝光显影工艺去除部分光阻而形成预留光阻，所述预留光阻至少位于多个金属凸块之间；

通过溅镀工艺形成种子层，所述种子层至少覆盖所述金属凸块的周缘；

去除预留光阻及位于预留光阻处的种子层。

7.根据权利要求6所述的成型方法，其特征在于，步骤“通过曝光显影工艺去除部分光阻而形成预留光阻”具体包括：

于光阻上方放置带有多个开孔的掩膜板；

光线通过多个开孔照射光阻而实现曝光；

通过显影工艺去除部分光阻而形成呈倒梯形的预留光阻。

8.根据权利要求6所述的成型方法，其特征在于，步骤“于晶圆基板上方涂布光阻”具体包括：

于晶圆基板上方涂布光阻，所述光阻包覆多个金属凸块。

9.根据权利要求8所述的成型方法，其特征在于，步骤“通过曝光显影工艺去除部分光阻而形成预留光阻，所述预留光阻至少位于多个金属凸块之间”具体包括：

通过曝光显影工艺去除部分光阻而形成呈倒梯形的预留光阻，所述预留光阻包括第一预留光阻及第二预留光阻，所述第一预留光阻位于多个金属凸块之间，所述第二预留光阻位于所述金属凸块远离所述晶圆基板的一侧。

10.根据权利要求9所述的成型方法，其特征在于，步骤“通过溅镀工艺形成种子层，所述种子层至少覆盖所述金属凸块的周缘”具体包括：

通过溅镀工艺形成种子层，所述种子层覆盖所述金属凸块的周缘、所述第一预留光阻未覆盖的晶圆基板区域、所述第二预留光阻未覆盖的金属凸块区域及所述预留光阻远离晶圆基板的一侧表面。