[发明专利]一种封装胶膜制作方法以及光伏组件在审
申请号: | 201911358280.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111106197A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 张秀芳;刘俊辉;郭志球 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘新雷 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 胶膜 制作方法 以及 组件 | ||
1.一种封装胶膜制作方法,其特征在于,包括:
步骤1,在基底层上制作多个三棱柱结构,所述三棱柱结构的顶面、底面与所述基底层的表面垂直;
步骤2,将反射层涂镀到所述三棱柱的侧面作为反射面,形成了锯齿状反光膜层;
步骤3,将所述锯齿状反光膜层放置在辊轮上;
步骤4,平铺胶膜层,通过将所述辊轮在所述胶膜上按照预定位置行进,将所述锯齿状反光膜层转移到所述胶膜层与电池片间隙对应的位置,用于将照射到所述电池片间隙的阳光通过玻璃盖板反射到电池片,并使得所述锯齿状反光膜层的基底层与所述胶膜层结合形成封装胶膜。
2.如权利要求1所述封装胶膜制作方法,其特征在于,所述基底层为PVDF基底层、PVF基底层或PE基底层。
3.如权利要求2所述封装胶膜制作方法,其特征在于,所述反射层的厚度为50nm~100nm。
4.如权利要求4所述封装胶膜制作方法,其特征在于,所述三棱柱的截面为等腰三角形,所述等腰三角形的顶角为100°~120°,底角为30°~40°。
5.如权利要求1所述封装胶膜制作方法,其特征在于,所述基底层的厚度为35μm~50μm。
6.如权利要求5所述封装胶膜制作方法,其特征在于,所述反射层为铝反射层或三氧化二铝反光层。
7.一种光伏组件,其特征在于,包括从下到上依次设置的下胶膜层、电池片层以及上胶膜层,所述下胶膜层为如权利要求1-6任意一项所述封装胶膜制作方法制成的封装胶膜,所述电池片层设置在所述封装胶膜的电池片间隙包围的电池片区。
8.如权利要求7所述光伏组件,其特征在于,所述电池片层中的电池片为单面电池片或双面电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的