[发明专利]一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法在审
| 申请号： | 201911357619.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035705A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹申;赵艳黎;龚芷玉;王志成;李诚瞻;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;康志梅 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 晶圆翘 曲度 方法 | ||
1.一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法，通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀改善碳化硅晶圆的翘曲度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.在碳化硅晶圆的正面进行离子注入；
S2.在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行干法刻蚀；
S3.将步骤S2得到的晶圆的正面进行后续光刻工艺。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：
S0.对碳化硅晶圆进行清洗处理。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：
1A.在碳化硅晶圆的正面沉积刻蚀掩膜；
1B.对步骤1A得到的晶圆的掩膜进行刻蚀；
1C.对步骤1B得到的晶圆正面进行离子注入。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述掩膜的材质包括但不限于二氧化硅、多晶硅和氮化硅，优选为二氧化硅掩膜。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤1B中为干法刻蚀。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行整面干法刻蚀。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述后续光刻工艺包括曝光工艺。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法制备得到的碳化硅晶圆。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法制备得到的碳化硅晶圆在制造半导体中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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