[发明专利]电路基板及其制作方法、显示基板有效
申请号: | 201911356040.9 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111048529B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 解蒙蒙;夏兴达 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路基 及其 制作方法 显示 | ||
本发明公开了一种电路基板及其制作方法、显示基板,属于显示技术领域,电路基板包括多个单元基板,相邻单元基板之间设有多个过孔,过孔包括沿第一方向排布的多个第一过孔和沿第二方向排布的多个第二过孔,驱动电路包括位于衬底基板的顶表面的第一信号线和位于衬底基板的底表面的第二信号线。显示基板包括上述电路基板。电路基板的制作方法用于制作上述电路基板。本发明在切割方向上,将第一过孔的第一横截面设计为第一方向比第二方向窄,第二过孔的第一横截面设计为第二方向比第一方向窄,即在切割方向上的过孔占用空间较小,从而可以减小每个单元基板中衬底基板的侧面导电连接部之间的间距,有利于制作较高PPI的面板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种电路基板及其制作方法、显示基板。
背景技术
随着显示技术的不断发展,Micro(微)-LED(发光二极管, Light-EmittingDiode,LED)和mini LED等新型显示技术在背光领域的应用范围越来越广泛。Micro-LED是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化,并采用集成电路工艺制成驱动电路,来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD(液晶显示器)和OLED (有机电致发光二极管)技术,加上其具有自发光、结构简单、体积小和节能的优点,被视为下一代显示技术,各显示技术领军企业已经开始积极布局。
目前,Micro LED和mini LED无论是用于液晶显示装置的背光,还是用于大尺寸TV的背光,均是集成在印制电路板(Printed Circuit Board,PCB) 上,并采用被动驱动的方式实现发光,这种方式虽然能够实现正常的背光功能,但是在动态局域背光亮度调整、信赖性、功耗等方面还存在一定缺陷。为了解决上述问题,考虑使用玻璃基底,即将Micro LED和mini LED 均集成在玻璃基底上。现有技术,通过在集成Micro LED或mini LED的玻璃基底的预留切割线上激光打孔,在孔中灌注金属材料连接基底的上下走线,最后通过激光或刀轮沿切割线切割,形成多个独立基板,但是此种方式未考虑打孔形状结构以及对PPI(Pixels Per Inch,即像素密度,所表示的是每英寸所拥有的像素数量。因此PPI数值越高,即代表显示屏能够以越高的密度显示图像)的影响和易断线的风险。
因此,如何解决现有技术中集成Micro-LED或mini LED的电路基板不适用于较高PPI面板的拼接,且在拼接显示中基板侧边直接制作走线工艺不成熟,易磨损、易断线的问题,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种电路基板及其制作方法、显示基板,以解决现有技术中集成Micro-LED或mini LED的电路基板不适用于较高PPI 面板的拼接,且在拼接显示中基板侧边直接制作走线工艺不成熟,易磨损、易断线的问题。
本发明提供的一种电路基板,包括多个阵列排布的单元基板,任意相邻的单元基板之间设有多个过孔,过孔包括沿第一方向排布的多个第一过孔和沿第二方向排布的多个第二过孔,第一方向和第二方向相交;单元基板包括衬底基板和设置于衬底基板上的驱动电路,过孔贯穿衬底基板相对的顶表面和底表面,驱动电路包括位于衬底基板的顶表面的第一信号线和位于衬底基板的底表面的第二信号线;电路基板还包括与过孔一一对应的多个导电连接部,导电连接部的至少一部分位于对应的过孔内,且导电连接部一端与第一信号线电连接,另一端与第二信号线电连接;过孔包括平行于衬底基板底表面的第一横截面;在第一横截面所在的平面上,第一过孔包括沿第一方向延伸的第一对称轴和沿第二方向延伸的第二对称轴;第一对称轴与第一过孔的交点的连线构成第一线段,第二对称轴与第一过孔的交点的连线构成第二线段,第二线段的长度大于第一线段的长度;在第一横截面所在的平面上,第二过孔包括沿第一方向延伸的第三对称轴和沿第二方向延伸的第四对称轴;第三对称轴与第二过孔的交点的连线构成第三线段,第四对称轴与第二过孔的交点的连线构成第四线段,第三线段的长度大于第四线段的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的