[发明专利]电路基板及其制作方法、显示基板有效
申请号: | 201911356040.9 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111048529B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 解蒙蒙;夏兴达 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路基 及其 制作方法 显示 | ||
1.一种电路基板,其特征在于,包括:
多个阵列排布的单元基板,任意相邻的所述单元基板之间设有多个过孔,所述过孔包括沿第一方向排布的多个第一过孔和沿第二方向排布的多个第二过孔,所述第一方向和所述第二方向相交;
所述单元基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的驱动电路,所述过孔贯穿所述衬底基板相对的顶表面和底表面,所述驱动电路包括位于所述衬底基板的顶表面的第一信号线和位于所述衬底基板的底表面的第二信号线;
所述电路基板还包括与所述过孔一一对应的多个导电连接部,所述导电连接部的至少一部分位于对应的所述过孔内,且所述导电连接部一端与所述第一信号线电连接,另一端与所述第二信号线电连接;
所述过孔包括平行于所述衬底基板底表面的第一横截面;
在所述第一横截面所在的平面上,所述第一过孔包括沿所述第一方向延伸的第一对称轴和沿所述第二方向延伸的第二对称轴;所述第一对称轴与所述第一过孔的交点的连线构成第一线段,所述第二对称轴与所述第一过孔的交点的连线构成第二线段,所述第二线段的长度大于所述第一线段的长度;
在所述第一横截面所在的平面上,所述第二过孔包括沿所述第一方向延伸的第三对称轴和沿所述第二方向延伸的第四对称轴;所述第三对称轴与所述第二过孔的交点的连线构成第三线段,所述第四对称轴与所述第二过孔的交点的连线构成第四线段,所述第三线段的长度大于所述第四线段的长度。
2.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述过孔的所述第一横截面的形状为椭圆形。
3.根据权利要求2所述的电路基板,其特征在于,所述第二线段的长度为所述第一线段的长度的两倍,所述第三线段的长度为所述第四线段的长度的两倍。
4.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述过孔的所述第一横截面的形状为“8”字形。
5.根据权利要求4所述的电路基板,其特征在于,所述第二线段的长度为所述第一线段的长度的四倍,所述第三线段的长度为所述第四线段的长度的四倍。
6.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述第二线段的长度和所述第三线段的长度均大于或等于50μm。
7.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述过孔还包括平行于所述衬底基板底表面的第二横截面,所述第二横截面位于所述第一横截面靠近所述衬底基板底表面的一侧,或者,所述第二横截面位于所述第一横截面靠近所述衬底基板顶表面的一侧;
所述第二横截面向所述衬底基板的正投影位于所述第一横截面向所述衬底基板的正投影的范围内。
8.根据权利要求7所述的电路基板,其特征在于,所述过孔还包括平行于所述衬底基板底表面的第三横截面,所述第三横截面位于所述第一横截面远离所述第二横截面的一侧,所述第三横截面向所述衬底基板的正投影与所述第二横截面向所述衬底基板的正投影重合。
9.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述过孔包括垂直于所述衬底基板底表面的竖截面,所述竖截面与所述过孔侧边缘构成的交线为弧线。
10.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述导电连接部包括:
位于所述过孔内的第一部;
与所述第一部连接、且位于所述衬底基板的顶表面的第二部;
以及与所述第一部连接、且位于所述衬底基板的底表面的第三部;
所述第二部与所述第一信号线连接,所述第三部与所述第二信号线连接。
11.根据权利要求10所述的电路基板,其特征在于,所述第一部向所述衬底基板的正投影位于所述第二部向所述衬底基板的正投影范围内,且所述第一部向所述衬底基板的正投影位于所述第三部向所述衬底基板的正投影范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的