[发明专利]一种阵列集成微型LED芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911353349.2 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN110767642B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 徐亮;雷自合 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫;李素兰
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 集成 微型 led 芯片 及其 制作方法
【说明书】:

发明公开了一种阵列集成微型LED芯片及其制作方法,所述芯片包括基板、导电连接层、热固性缓冲层和n个发光结构,所述导电连接层包括第一金属连接层和第二金属连接层,所述第一金属连接层将同一列的第一发光微结构形成导电连接,所述第二金属连接层将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接。本发明通过全共阴加双共阳的方式形成微型LED芯片集成式阵列,提高芯片的转移效率和转移良率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种阵列集成微型LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED具有节能、环保、抗震、安全等一系列优点,在照明、显示等领域应用广泛。LED显示屏作为一项高科技产品引起了人们的高度重视,采用计算机控制,将光、电融为一体的智能全彩显示屏在广告传媒、娱乐文化、交通诱导、体育等领域已经得到了广泛的应用,其像素点采用红、绿、蓝三色LED发光二极管,以点阵的方式排列起来,从而实现显示画面的全彩化。随着LED显示屏在显示领域的应用越来越普及化,红、绿、蓝三色LED芯片以及芯片之间的间距也需要随之不断的缩小,当LED芯片缩小到小于100μm以下时,芯片大小已经远远超过传统的芯片转移方法的工艺极限,因此目前行业内多采用多颗微小芯片巨量转移的方式进行批量转移,但这种转移方式依然存在着转移良率低,转移精度要求极高,转移过程良率低等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,提供种阵列集成微型LED芯片及其制作方法,将多个100μm以下的微型芯片连接在一起,提高芯片的转移效率和良率。

本发明所要解决的技术问题在于,提供种阵列集成微型LED芯片及其制作方法,将多个100μm以下的微型芯片形成共阴电极和共阳电极结构,提升芯片阵列的集成度和利用率,降低微型芯片之间的间距。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列集成微型LED芯片,包括基板、导电连接层、热固性缓冲层和n个发光结构,所述n个发光结构分成x行和y列,n>3,x>1,y>1;

每个发光结构均包括第一发光微结构、第二发光微结构和第一隔离槽,所述第一隔离槽设置在第一发光微结构和第二发光微结构之间;

在同一行中,相邻两个发光结构之间设有第二隔离槽;

所述导电连接层包括第一金属连接层和第二金属连接层,所述第一金属连接层将同一列的第一发光微结构形成导电连接,所述第二金属连接层将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接;

所述热固性缓冲层填充在基板和发光结构之间,以将发光结构固定在基板上,所述第一金属连接层和第二金属连接层贯穿所述热固性缓冲层和基板,并延伸到基板外。

作为上述方案的改进,所述第一发光微结构和第二发光微结构均包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层和反射层,所述第一隔离槽和第二隔离槽均从反射层刻蚀至第一半导体层。

作为上述方案的改进,所述第一金属连接层设置在第一发光微结构和第一隔离槽上,以将同一列的第一发光微结构形成导电连接;

所述第二金属连接层设置在第二发光微结构和第二隔离槽上,以将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接。

作为上述方案的改进,所述第二发光微结构还包括钝化层,所述钝化层设置在第二发光微结构的侧壁和第二隔离槽的表面,所述第二金属连接层设置在钝化层上并延伸到第二发光微结构的反射层上将所述钝化层覆盖。

作为上述方案的改进,所述热固性缓冲层由热固性材料和有机硅胶制成,或者由热固性材料和环氧树脂制成;

所述热固性材料包括酚醛塑料、环氧塑料、氨基塑料、不饱和聚酯和醇酸塑料中的一种或几种。

作为上述方案的改进,所述发光结构的出光面设有量子点层和光学隔绝层,所述光学隔绝层设置在两个发光结构之间,以吸收或反射发光结构的侧向光线。

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