[发明专利]一种阵列集成微型LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列集成微型LED芯片，其特征在于，包括基板、导电连接层、热固性缓冲层和n个发光结构，所述发光结构的尺寸小于100μm，n个发光结构的第一半导体层连接在一起，所述n个发光结构分成x行和y列，n＞3，x＞1，y＞1；

每个发光结构均包括第一发光微结构、第二发光微结构和第一隔离槽，所述第一隔离槽设置在第一发光微结构和第二发光微结构之间；

在同一行中，相邻两个发光结构对称设置，且相邻两个发光结构之间设有第二隔离槽；

所述导电连接层包括第一金属连接层和第二金属连接层，所述第一金属连接层将同一列的第一发光微结构形成导电连接，所述第二金属连接层将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接；

所述热固性缓冲层填充在基板和发光结构之间，以将发光结构固定在基板上，所述第一金属连接层和第二金属连接层贯穿所述热固性缓冲层和基板，并延伸到基板外；

每个发光结构通过第一金属连接层和第二金属连接层实现单独点亮。

2.如权利要求1所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述第一发光微结构和第二发光微结构均包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层和反射层，所述第一隔离槽和第二隔离槽均从反射层刻蚀至第一半导体层。

3.如权利要求2所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述第一金属连接层设置在第一发光微结构和第一隔离槽上，以将同一列的第一发光微结构形成导电连接；

所述第二金属连接层设置在第二发光微结构和第二隔离槽上，以将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接。

4.如权利要求3所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述第二发光微结构还包括钝化层，所述钝化层设置在第二发光微结构的侧壁和第二隔离槽的表面，所述第二金属连接层设置在钝化层上并延伸到第二发光微结构的反射层上将所述钝化层覆盖。

5.如权利要求1所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述热固性缓冲层由热固性材料和有机硅胶制成，或者由热固性材料和环氧树脂制成；

所述热固性材料包括酚醛塑料、环氧塑料、氨基塑料、不饱和聚酯和醇酸塑料中的一种或几种。

6.如权利要求1所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述发光结构的出光面设有量子点层和光学隔绝层，所述光学隔绝层设置在两个发光结构之间，以吸收或反射发光结构的侧向光线。

7.如权利要求6所述的阵列集成微型LED芯片，其特征在于，所述光学隔绝层由添加了吸光材料或反光材料的有机硅胶或环氧树脂制成。

8.一种阵列集成微型LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成外延层和反射层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述反射层设置在第二半导体层上；

对反射层和外延层进行刻蚀，刻蚀至第一半导体层形成第一隔离槽和第二隔离槽，所述第二隔离槽将反射层和外延层分成n个发光结构，所述第一隔离槽将每个发光结构分成第一发光微结构和第二发光微结构，所述n个发光结构分成x行和y列，n＞3，x＞1，y＞1；

形成第一层导电连接层，所述第一层导电连接层包括第一金属连接层和第二金属连接层，所述第一金属连接层将同一列的第一发光微结构形成导电连接，所述第二金属连接层将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接；

在基板上制成第二层导电连接层和热固性缓冲层，所述第二层导电连接层贯穿所述基板和热固性缓冲层，且所述第二层导电连接层包括与第一层导电连接层对应的结构；

采用热压结合的方式将第二层导电连接层和第一层导电连接层进行固溶，所述热固性缓冲层在加热的情况下填充到基板和发光结构之间；

去除衬底，将第一半导体层裸露出来。