[发明专利]一种半导体芯片清洗方法

说明书

本发明公开了一种半导体芯片清洗方法，本发明具体包括以下步骤：S1、清洗用品的准备，S2、前期清洗准备和规划，S3、一次超声清洗，S4、二次超声清洗，S5、化学试剂涮洗，S6、兆声清洗处理，S7、烘干收集处理，本发明涉及半导体生产技术领域。该半导体芯片清洗方法，可实现的在进行大批量清洗时，对每槽清洗液中的配比、清洗芯片的片数以及清洗时间进行合理规划，很好的达到了通过对大批量半导体芯片的整体规划清洗，来实现既快速又清洗彻底的目的，大大提高了清洗效果，不仅适用于小批量半导体芯片的清洗，而且对于大批量半导体芯片的分批次清洗也适用，提高了清洗效率，从而大大方便了半导体芯片生产企业的芯片清洗。

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，具体为一种半导体芯片清洗方法。

背景技术

半导体芯片是指在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件，半导体芯片不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料，由于科技的日新月异，半导体芯片已愈朝微小化加以发展，而芯片多半是具有不同的功效的电子组件，这些电子组件通常是使用焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上，这样可使电子组件正常的运作，然而由于电子组件的微小化，芯片生产过程中产生的杂质会严重影响芯片的质量，半导体芯片制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成，因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作，干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

目前在半导体芯片清洗时，大多是直接将半导体芯片置于超声清洗设备中通过配制的清洗液进行超声清洗，然后再进行干燥处理，然而，这样的清洗方法清洗效果不佳，且只适用于小批量半导体芯片的清洗，而对于大批量半导体芯片的分批次清洗则不适用，不能实现在进行大批量清洗时，对每槽清洗液中的配比、清洗芯片的片数以及清洗时间进行合理规划，无法达到通过对大批量半导体芯片的整体规划清洗，来实现既快速又清洗彻底的目的，清洗效率低，从而给半导体芯片生产企业的芯片清洗带来极大的不便。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体芯片清洗方法，解决了现有的清洗方法清洗效果不佳，且只适用于小批量半导体芯片的清洗，而对于大批量半导体芯片的分批次清洗则不适用，不能实现在进行大批量清洗时，对每槽清洗液中的配比、清洗芯片的片数以及清洗时间进行合理规划，无法达到通过对大批量半导体芯片的整体规划清洗，来实现既快速又清洗彻底目的的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体芯片清洗方法，具体包括以下步骤：

S1、清洗用品的准备：首先将量取的丙酮ACE、异丙醇IPA和去离子DI水，并准备清洗设备；

S2、前期清洗准备和规划：将花篮放置于超声设备的内槽里，再向步骤S1准备的超声设备和兆声波设备的内槽内均倒入2000-4000ml的丙酮和异丙醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，使溶液水平面在花篮上平面以上，记录溶液更换日期，并规划溶液的清洗次数；

S3、一次超声清洗：将待清洗的半导体芯片转移至步骤S1放置好的花篮中，设置超声的温度在55-65℃，并计时超声清洗晶片8-12min，然后用顶盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；

S4、二次超声清洗：将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min，然后将花篮置于异丙醇中，设置溶液温度55-65℃，记时超声清洗晶片8-12min，之后用顶盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数；