[发明专利]基板载置方法、成膜方法、成膜装置以及有机EL面板的制造系统

权利要求书

1.一种基板载置方法，使用第一基板支承部、第二基板支承部、第一按压部以及第二按压部使基板移动并将所述基板载置于掩模上，

所述第一基板支承部沿着所述基板的第一边对基板进行支承，并且能够上下移动，

所述第二基板支承部沿着与所述第一边相向的第二边对所述基板进行支承，并且能够与所述第一基板支承部独立地上下移动，

所述第一按压部能够朝向所述第一基板支承部按压所述基板，

所述第二按压部能够朝向所述第二基板支承部按压所述基板，

其中，所述基板载置方法具备：

基板倾斜工序，在所述基板倾斜工序中，在利用所述第一按压部和所述第二按压部分别按压由所述第一基板支承部和所述第二基板支承部支承的所述基板的状态下，使所述基板处于所述掩模的上方而使所述基板的姿势从使所述第一基板支承部和所述第二基板支承部位于相同高度的第一姿势转移到所述第二基板支承部比所述第一基板支承部高的第二姿势；

基板下降工序，在所述基板下降工序中，在保持所述第二姿势的状态下使所述第一基板支承部和所述第二基板支承部下降，以便形成设置在所述基板的所述第一基板支承部侧的基板的对准标记和设置在所述掩模的所述第一基板支承部侧的掩模的对准标记都包含于摄像装置的景深的状态；

测量工序，在所述测量工序中，利用所述摄像装置对所述基板的对准标记和所述掩模的对准标记进行拍摄而取得所述基板与所述掩模的相对位置信息，对所述基板与所述掩模的位置偏移量进行测量；

对准工序，在所述对准工序中，当在所述测量工序中测得的所述位置偏移量超过规定的阈值的情况下，基于在所述测量工序中取得的相对位置信息使所述基板移动，以使所述基板与所述掩模的位置偏移量减少；以及

载置工序，在所述载置工序中，当在所述测量工序中测得的所述位置偏移量为规定的阈值以下的情况下，将所述第二按压部的按压力变更为比所述第一按压部的按压力小的按压力，在保持所述第二姿势的状态下使所述第一基板支承部和所述第二基板支承部下降，当在所述第一基板支承部侧所述基板与所述掩模接触后，使所述第二基板支承部下降，将所述基板载置于所述掩模。

2.如权利要求1所述的基板载置方法，其中，

在所述基板倾斜工序中，所述第二姿势下的所述第一基板支承部与所述第二基板支承部的高低差为在利用所述第一基板支承部和所述第二基板支承部以所述第一姿势支承所述基板的状态下所述基板挠曲而使得所述基板的中央部相比周边部下降的高度以上。

3.如权利要求1或2所述的基板载置方法，其中，

所述摄像装置配置在所述第一基板支承部的上方。

4.如权利要求1或2所述的基板载置方法，其中，

在所述载置工序之后，基于使用所述摄像装置或进一步配置在所述基板的周边部的上部的其他摄像装置对所述基板和所述掩模进行拍摄而取得的所述基板与所述掩模的相对位置信息，取得所述基板与所述掩模的位置偏移量，在测得的所述位置偏移量超过规定的阈值的情况下，利用所述第一按压部以及所述第二按压部按压所述基板，使所述第二基板支承部上升而将所述基板的姿势变更为所述第二姿势，执行所述测量工序、所述对准工序以及所述载置工序。

5.如权利要求1或2所述的基板载置方法，其中，

所述第一基板支承部以及/或者所述第二基板支承部的、对所述基板进行支承的支承面具有沿着所述第二姿势下的所述基板的倾斜的斜度。

6.如权利要求5所述的基板载置方法，其中，

所述第一基板支承部以及/或者所述第二基板支承部的、对所述基板进行支承的支承面的斜度处于1/100以上且1/10以下的范围。

7.如权利要求5所述的基板载置方法，其中，

与所述第一基板支承部以及/或者所述第二基板支承部相向的所述第一按压部以及/或者所述第二按压部的、对所述基板进行按压的按压面具有沿着所述第一基板支承部以及/或者所述第二基板支承部的斜度。