[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括半导体衬底、栅极结构、电容器结构及导电接触件。所述半导体衬底上具有至少一个半导体鳍。所述栅极结构跨越所述半导体鳍设置。所述电容器结构设置在所述栅极结构上。所述电容器结构包括铁电层以及设置在所述铁电层上的第一金属层。所述电容器结构夹置在所述导电接触件与所述栅极结构之间。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有电容器结构的半导体装置。

背景技术

随着半导体装置的大小不断按比例缩减，已开发出三维多栅极结构(例如，鳍型场效应晶体管(fin-type field effect transistor，FinFET))以取代平面互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)装置。FinFET装置的特征在于其结构具有被栅极包绕的一个或多个硅系鳍(silicon-based fin)以界定装置的沟道。所述栅极包绕结构还对沟道提供更好的电控制。

发明内容

一种半导体装置包括半导体衬底、栅极结构、电容器结构以及导电接触件。所述半导体衬底上具有至少一个半导体鳍。所述栅极结构跨越所述半导体鳍设置。所述电容器结构设置在所述栅极结构上。所述电容器结构包括铁电层以及设置在所述铁电层上的第一金属层。所述电容器结构夹置在所述导电接触件与所述栅极结构之间。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1R是根据本公开一些实施例的制造半导体装置的方法的各个阶段的透视图。

图2A到图2R是图1A到图1R所示的制造半导体装置的方法的各个阶段的剖视图。

图3是图1O及图2O的俯视图。

图4是根据本公开一些替代性实施例的半导体装置的剖视图。

图5A及图5B是根据本公开一些替代性实施例的半导体装置的剖视图。

图6A到图6E是根据本公开一些替代性实施例的制造半导体装置的方法的各个阶段的透视图。

图7A到图7E是图6A到图6E所示的半导体装置的方法的各个阶段的剖视图。

图8是图6D及图7D的俯视图。

图9是根据本公开一些替代性实施例的半导体装置的剖视图。

图10A及图10B是根据本公开一些替代性实施例的半导体装置的剖视图。

附图标号说明

10、20、30、40、50、60、70、80：半导体装置

200、200’：半导体衬底

202a：衬层

202a’：图案化衬层

202b、212d：掩模层

202b’：图案化掩模层

204：图案化光刻胶层

206：沟槽

208：半导体鳍

210、210’：绝缘材料

210a：绝缘体

212：虚设栅极结构

212a：虚设栅极介电层

212b：虚设栅极