[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多孔介质层；

在所述多孔介质层中形成导电通孔；

采用物理气相沉积工艺，在所述导电通孔的底部和侧壁保形覆盖成核层；

采用原子层沉积工艺，在所述成核层上保形覆盖第一阻挡层，用于与成核层形成扩散阻挡层；

在形成有所述扩散阻挡层的所述导电通孔中形成导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层后，在形成所述导电插塞之前，所述半导体结构的形成方法还包括：采用物理气相沉积工艺，在所述第一阻挡层上保形覆盖第二阻挡层，用于与所述第一阻挡层和所述成核层形成所述扩散阻挡层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层后，在形成所述导电插塞之前，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述第一阻挡层进行溅射处理，适于提高所述第一阻挡层的致密度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述成核层的步骤中，所述成核层的厚度为至

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成所述成核层的步骤中，所述物理气相沉积工艺的参数包括：偏置功率为100W至500W，直流功率为8000W至20000W。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层的步骤中，所述第一阻挡层的厚度为至

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二阻挡层的步骤中，所述第二阻挡层的厚度为至

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成所述第二阻挡层的步骤中，所述物理气相沉积工艺的参数包括：直流功率为8000W至20000W，射频线圈功率为1000W至2000W，偏置功率为200W至500W。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一阻挡层进行溅射处理的步骤中，所述溅射处理的参数包括：直流功率为100W至2000W，射频线圈功率为1000W至2000W，偏置功率为200W至400W，直流线圈功率为0W至1000W。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述成核层的材料包括TaN、Ta、Ti和TiN中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括TaN和TiN中的一种或两种。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括TaN、Ta、Ti和TiN中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一阻挡层的步骤中，所述原子层沉积工艺采用的前驱体包括PDMAT和NH₃。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多孔介质层的材料为低介电常数介质材料或超低介电常数材料。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多孔介质层的材料包括SiOCH、黑金刚石、倍半硅氧烷基材料或氟掺杂的氧化硅。