[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层的材料为含氧材料；

在所述介质层中形成开口；

利用原子层沉积工艺在所述开口的侧壁形成阻挡层，所述阻挡层至少包括覆盖所述开口的侧壁表面的第一阻挡层，且在形成所述第一阻挡层的过程中，所述原子层沉积工艺采用含氢的改性前驱体。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺为等离子体增强原子层沉积工艺。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性前驱体包括氢气、氘气或氢的同位素气体。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性前驱体的气体流量为1sccm至5sccm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，利用原子层沉积工艺在所述开口的侧壁形成阻挡层的步骤中，所述阻挡层还包括保形覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层，所述第一阻挡层和第二阻挡层在同一沉积腔室中依次连续形成，且所述第二阻挡层的耐刻蚀度大于所述第一阻挡层的耐刻蚀度。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述原子层沉积工艺的过程中，采用相同的反应前驱体，形成所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一阻挡层的步骤中，所述原子层沉积工艺的步骤包括：进行至少一次子层沉积工艺；

所述子层沉积工艺包括：将第一反应前驱体通入沉积腔室中，所述第一反应前驱体吸附在所述开口的侧壁表面；所述第一反应前驱体吸附在所述开口的侧壁表面之后，将未吸附在所述开口的侧壁表面的多余的所述第一反应前驱体排出所述沉积腔室；将多余的所述第一反应前驱体排出所述沉积腔室之后，将第二反应前驱体和所述含氢的改性前驱体通入所述沉积腔室中，所述改性前驱体适于对所述开口的侧壁表面进行改性，所述第二反应前驱体与所述第一反应前驱体反应；将所述第二反应前驱体与所述第一反应前驱体反应后的副产物排出所述沉积腔室。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮化硅，所述第一反应前驱体包括SiH₂I₂或SiH₂Cl₂，所述第二反应前驱体包括N₂或NH₃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅，所述第一阻挡层的材料为氮化硅。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的参数包括：所述第一反应前驱体的气体流量为0.001sccm至1sccm，所述第二反应前驱体的气体流量为1sccm至1000sccm，源射频功率为500W至1000W，腔室压强为10torr至30torr，工艺温度为300℃至400℃。

11.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为2纳米至2.5纳米。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂区，所述介质层覆盖所述源漏掺杂区；

在所述介质层中形成开口的步骤中，所述开口位于所述栅极结构两侧且贯穿所述源漏掺杂区上方的所述介质层；

在所述开口的侧壁形成阻挡层之后，还包括：在所述阻挡层露出的开口中形成电连接所述源漏掺杂区的接触孔插塞。