[发明专利]一种显示面板及其制作方法及电子设备

说明书

本发明提供一种显示面板及其制作方法及电子设备，该显示面板包括：第一薄膜晶体管，其截面结构包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一半导体层，所述第一半导体层的两端分别与所述第一源极和所述第一漏极电连接；第二薄膜晶体管，其截面结构包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二源极和所述第二漏极上，所述第二半导体层的两端分别与所述第二源极和所述第二漏极电连接。本发明的显示面板及其制作方法及电子设备，能够提高薄膜晶体管的性能和显示效果。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法及电子设备。

【背景技术】

LTPO(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物工艺，融合了低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly Si)和金属氧化物(Oxide)两种工艺，也即是在一个显示面板中同时形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。

然而现有的显示面板的第二薄膜晶体管的第二半导体层容易在制程过程中被金属的蚀刻液腐蚀，从而降低了薄膜晶体管的性能，进而降低了显示效果。

因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法及电子设备，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法及电子设备，能够避免第二半导体层被蚀刻液腐蚀，提高了薄膜晶体管的性能和显示效果。

为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板，包括：

第一薄膜晶体管，其截面结构包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一半导体层，所述第一半导体层的两端分别与所述第一源极和所述第一漏极电连接；

第二薄膜晶体管，其截面结构包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二源极和所述第二漏极上，所述第二半导体层的两端分别与所述第二源极和所述第二漏极电连接。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板上制作第一半导体层；

在所述第一半导体层上分别制作第一栅极和第二栅极；

在所述第一栅极和所述第二栅极上制作第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有多个第一接触孔；

在所述第二绝缘层上分别制作第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极；

在所述第二源极和所述第二漏极上制作第二半导体层。

本发明还提供一种电子设备，其包括上述显示面板。

本发明的显示面板及其制作方法及电子设备，包括第一薄膜晶体管，其截面结构包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一半导体层，所述第一半导体层的两端分别与所述第一源极和所述第一漏极电连接；第二薄膜晶体管，其截面结构包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二源极和所述第二漏极上，所述第二半导体层的两端分别与所述第二源极和所述第二漏极电连接；由于将第二半导体层制作在第二源极和第二漏极上方，因此可以避免第二金属层蚀刻过程中的蚀刻液对第二半导体层造成腐蚀，提高了薄膜晶体管的性能和显示效果。

【附图说明】

图1为现有显示面板的第一种结构示意图；

图2为现有显示面板的第二种结构示意图；

图3为本发明显示面板的结构示意图；

图4为本发明显示面板的优选结构示意图；

图5为本发明显示面板的制作方法的第一步中第一分步的结构示意图；