[发明专利]半导体加工设备有效
申请号: | 201911178998.3 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110739252B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 孙晋博 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K1/14;G01K7/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
本发明提供一种半导体加工设备,包括工艺腔室、晶舟、固定套管、升降装置、悬臂梁、热电偶和连接结构,其中,固定套管设置于工艺腔室中,晶舟能够竖直的放置在固定套管中,热电偶可通过水平设置的悬臂梁与升降装置连接,以在固定套管中升降,连接结构分别与悬臂梁和热电偶连接,并能够使热电偶相对于悬臂梁在水平方向上的预设范围内移动。本发明提供的半导体加工设备能够降低热电偶损坏的风险,提高半导体加工设备工作的稳定性,并且能够便于热电偶的安装。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种半导体加工设备。
背景技术
在半导体加工工艺中,硅片通常是在立式氧化炉设备中进行热处理反应,而温度会影响硅片热处理反应后的成膜厚度,因此,对立式氧化炉内纵向上的温度控制要求十分严格,需要通过热电偶对立式氧化炉内纵向上各段的温度进行测量。
在现有的立式氧化炉设备中,石英舟承载硅片放置在石英腔室中,硅片在石英腔室中进行热处理反应,石英腔室中还设置有套管,热电偶通过水平延长臂与升降驱动装置连接,升降驱动装置用于驱动热电偶在套管中升降,以调整热电偶上端部在石英腔室内纵向上的位置,对石英腔室内纵向上不同位置处的温度进行测量。
但是,由于热电偶和套管都较细长,且非常脆弱,极易损坏,因此,在热电偶升降的过程中,若热电偶与套管的同心度出现偏差,或者有外力触碰固定装置,很容易造成热电偶与套管摩擦抱死,甚至折断损坏。因此,在安装驱动装置与热电偶时,需要将热电偶与延长臂固定完成后,再调节延长臂的水平度,并进行反复调整测试,以使热电偶在升降的过程中运动顺畅,与套管无刮擦,而在调节延长臂的水平度的过程中很容易造成热电偶和套管的折断,并且反复调整测试延长臂的水平度也使得热电偶的安装极为繁琐。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种半导体加工设备,能够降低热电偶损坏的风险,提高半导体加工设备工作的稳定性,并且能够便于热电偶的安装。
为实现本发明的目的而提供一种半导体加工设备,包括工艺腔室、晶舟、固定套管、升降装置、悬臂梁和热电偶,其中,所述固定套管设置于所述工艺腔室中,所述晶舟能够竖直的放置在所述固定套管中,所述热电偶可通过水平设置的所述悬臂梁与所述升降装置连接,以在所述固定套管中升降,所述半导体加工设备还包括连接结构,所述连接结构分别与所述悬臂梁和所述热电偶连接,并能够使所述热电偶相对于所述悬臂梁在水平方向上的预设范围内移动。
优选的,所述连接结构包括第一连接件和第二连接件,其中,所述第一连接件与所述悬臂梁连接;
所述第二连接件与所述热电偶连接,并与所述第一连接件连接,且所述第二连接件能够相对于所述第一连接件在水平方向上的预设范围内移动。
优选的,所述第二连接件包括连接柱,所述连接柱与所述热电偶连接,且所述连接柱的周壁上设置有环形凸块;
所述第一连接件包括与所述悬臂梁连接的连接主体,所述连接主体中设置有用于容纳所述连接柱的容纳孔,所述容纳孔中设置有用于容纳并支撑所述环形凸块的环形凹槽;
所述容纳孔的孔壁与所述连接柱的周壁之间具有第一水平间距,所述环形凹槽的内侧壁与所述环形凸块的外侧壁之间具有第二水平间距。
优选的,所述第一水平间距的取值范围为大于或等于6mm;所述第二水平间距的取值范围为大于或等于6mm。
优选的,所述环形凹槽的下表面与所述环形凸块的上表面之间具有竖直间距。
优选的,所述竖直间距的取值范围为1mm-2mm。
优选的,所述连接柱的轴线方向上间隔设置有多个所述环形凸块,所述容纳孔的轴线方向上间隔设置有多个所述环形凹槽,所述环形凹槽的数量与所述环形凸块的数量相同,并一一对应的容纳所述环形凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造