[发明专利]半导体加工设备有效
申请号: | 201911178998.3 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110739252B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 孙晋博 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K1/14;G01K7/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
1.一种半导体加工设备,包括工艺腔室、晶舟、固定套管、升降装置、悬臂梁和热电偶,其中,所述固定套管设置于所述工艺腔室中,所述晶舟能够竖直的放置在所述固定套管中,所述热电偶可通过水平设置的所述悬臂梁与所述升降装置连接,以在所述固定套管中升降,其特征在于,所述半导体加工设备还包括连接结构,所述连接结构分别与所述悬臂梁和所述热电偶连接,并能够使所述热电偶相对于所述悬臂梁在水平方向上的预设范围内移动。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备,其特征在于,所述连接结构包括第一连接件和第二连接件,其中,所述第一连接件与所述悬臂梁连接;
所述第二连接件与所述热电偶连接,并与所述第一连接件连接,且所述第二连接件能够相对于所述第一连接件在水平方向上的预设范围内移动。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备,其特征在于,所述第二连接件包括连接柱,所述连接柱与所述热电偶连接,且所述连接柱的周壁上设置有环形凸块;
所述第一连接件包括与所述悬臂梁连接的连接主体,所述连接主体中设置有用于容纳所述连接柱的容纳孔,所述容纳孔中设置有用于容纳并支撑所述环形凸块的环形凹槽;
所述容纳孔的孔壁与所述连接柱的周壁之间具有第一水平间距,所述环形凹槽的内侧壁与所述环形凸块的外侧壁之间具有第二水平间距。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备,其特征在于,所述第一水平间距的取值范围为大于或等于6mm;所述第二水平间距的取值范围为大于或等于6mm。
5.根据权利要求3所述的半导体加工设备,其特征在于,所述环形凹槽的下表面与所述环形凸块的上表面之间具有竖直间距。
6.根据权利要求5所述的半导体加工设备,其特征在于,所述竖直间距的取值范围为1mm-2mm。
7.根据权利要求3所述的半导体加工设备,其特征在于,所述连接柱的轴线方向上间隔设置有多个所述环形凸块,所述容纳孔的轴线方向上间隔设置有多个所述环形凹槽,所述环形凹槽的数量与所述环形凸块的数量相同,并一一对应的容纳所述环形凸块。
8.根据权利要求3-7任意一项所述的半导体加工设备,其特征在于,所述连接主体包括可拆卸连接的第一主体部和第二主体部,并且所述第一主体部中设置有第一弧形凹槽,所述第二主体部中设置有第二弧形凹槽,所述第一主体以及所述第二主体的二者之一与所述悬臂梁连接;
且所述第一主体部与所述第二主体部可连接形成所述连接主体,所述第一弧形凹槽与所述第二弧形凹槽形成所述环形凹槽。
9.根据权利要求2所述的半导体加工设备,其特征在于,所述第一连接件和所述第二连接件均采用具有自润滑性能的材料制作。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备,其特征在于,所述具有自润滑性能的材料包括聚甲醛。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造