[发明专利]悬浮压接功率半导体模块

权利要求书

1.一种悬浮压接功率半导体模块，包括模块底板（1）、绝缘导热片（2）、金属A电极（3）、功率半导体芯片（5）、门极组件（7）、金属K电极（8）和模块塑料外壳（9），其特征在于：还包括下钼圆片（4）和上钼圆片（6）；所述上钼圆片（6）中心设有安装孔；所述门极引线组件（7）卡入该安装孔内定位，引出门极控制极；所述金属A电极（3）、下钼圆片（4）、功率半导体芯片（5）、上钼圆片（6）、门极引线组件（7）和金属K电极（8）依次为压接接触。

2.根据权利要求1所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的模块塑料外壳（9）内形成密封腔体，该密封腔体内充有凝胶或者环氧树脂。

3.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的功率半导体芯片（5）的边缘两面双负角台面设有环形直角圆柱形绝缘保护硅胶环，双面表面台面设有2-4层聚酰亚胺钝化层。

4.根据权利要求3所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的硅胶环外层表面设有凹槽。

5.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的下钼圆片（4）和上钼圆片（6）的上下表面、金属A电极（3）和金属K电极（8）的内外表面为研磨面，面平面度和平行度小于10微米。

6.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的上钼圆片（6）、下钼圆片（4）的表面涂镀有钌钝化层。

7.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的功率半导体芯片（5）的阴阳极表面涂覆10-100微米厚的金属导电层。

8.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的功率半导体芯片（5）与上钼圆片（6）和下钼圆片（4）之间为悬浮压接接触。

9.根据权利要求1或2所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的功率半导体芯片（5）的边缘两面双负角台面上的绝缘保护硅胶环分别与上钼圆片（6）、下钼圆片（4）定位配合。

10.根据权利要求3或4所述的悬浮压接功率半导体模块，其特征在于：所述的功率半导体芯片（5）的边缘两面双负角的台面造型角度在0.5°与35°之间。