[发明专利]阵列基板及其制作方法、三维显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，且每一所述子像素包括：

基板；

隔断部，形成在所述基板上，并位于所述第二复合区；

像素电极，包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；

有机发光层，形成在所述像素电极背离所述基板的一侧；

像素界定层，形成在所述基板上，并环绕所述有机发光层设置；

公共电极，形成在所述有机发光层背离所述基板的一侧；

封装层，形成在所述公共电极背离所述基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔断层的边缘与所述第二隔断层的边缘之间的距离为1μm至5μm。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔断层的厚度为50nm至1500nm；所述第二隔断层的厚度为30nm至1500nm。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光层包括：

第一复合发光部，形成在所述第一复合电极背离所述基板的一侧；

第二复合发光部，形成在所述第二复合电极背离所述基板的一侧；

其中，所述第一复合发光部与所述第二复合发光部之间相互断开，所述第一复合发光部在所述基板上的正投影与所述第二复合发光部在所述基板上的正投影无缝相接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用金属材料、金属合金材料或氧化烟锡材料制作而成。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，其中，所述制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成隔断部，所述隔断部位于所述第二复合区；

形成像素电极，所述像素电极包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部且背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；

在所述基板上形成具有像素开口的像素界定层；

在所述像素电极背离所述基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素开口内；

在所述有机发光层背离所述基板的一侧形成公共电极；

在所述公共电极背离所述基板的一侧形成封装层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成隔断部，包括：

在所述基板上依次形成第一隔断层及第二隔断层，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率；

在同一刻蚀条件下对所述第一隔断层和所述第二隔断层进行刻蚀，以形成所述隔断部。