[发明专利]显示面板的制作方法和显示面板

说明书

本发明公开了一种显示面板的制作方法和显示面板。该包括：提供基板；在基板上形成沟道，沟道包括第一沟道和第二沟道；使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子；基于沟道形成阵列器件，阵列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管；在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。通过使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，使第一沟道对应的驱动晶体管和第二沟道对应的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管可以有较快的开关速度。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。

背景技术

现有技术中，显示面板中的驱动晶体管和开关晶体管的制程相同，导致驱动晶体管和开关晶体管的亚阈值摆幅大小相等，不利于驱动晶体管对灰阶的控制的同时开关晶体管实现快速导通。

发明内容

本发明提供一种显示面板的制作方法和显示面板，以实现开关晶体管和驱动晶体管分别满足不同的亚阈值摆幅要求。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成沟道，所述沟道包括第一沟道和第二沟道；

使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子；

基于所述沟道形成阵列器件，所述阵列器件包括基于所述第一沟道形成的驱动晶体管以及基于所述第二沟道形成的开关晶体管；

在所述阵列器件远离所述基板的一侧形成发光器件层。

可选地，使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述沟道远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道，以使所述第二沟道的氢离子浓度与所述第一沟道不同。

可选地，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第一剂量小于所述第二剂量，且所述第一掺杂能量小于所述第二掺杂能量。

可选地，所述第一剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，所述第二剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，所述第一掺杂能量和所述第二掺杂能量的范围为小于或等于5KV。

可选地，使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，还包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道。

可选地，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第三剂量小于所述第四剂量，且所述第三掺杂能量小于所述第四掺杂能量。