[发明专利]显示面板的制作方法和显示面板

权利要求书

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成沟道，所述沟道包括第一沟道和第二沟道；

对所述沟道注入氟离子；

在所述第一沟道和所述第二沟道的两侧均提供电压，并为所述第一沟道和所述第二沟道提供氢源，对所述第一沟道和所述第二沟道进行氢离子注入，并使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子；

基于所述沟道形成阵列器件，所述阵列器件包括基于所述第一沟道形成的驱动晶体管以及基于所述第二沟道形成的开关晶体管；

在所述阵列器件远离所述基板的一侧形成发光器件层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一沟道和所述第二沟道进行氢离子掺杂，并使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述沟道远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道，以使所述第二沟道的氢离子浓度与所述第一沟道不同。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第一剂量小于所述第二剂量，且所述第一掺杂能量小于所述第二掺杂能量。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，所述第二剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，所述第一掺杂能量和所述第二掺杂能量的范围为小于或等于5KV。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，还包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第三剂量小于所述第四剂量，且所述第三掺杂能量小于所述第四掺杂能量。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第三剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，所述第四剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，所述第三掺杂能量和所述第四掺杂能量的范围为5KV-10KV。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述沟道注入氟离子时，所述氟离子的注入剂量为1E+12—2E+12ions/cm2，掺杂能量为10KV。

9.一种显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的显示面板的制作方法制备。