[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911135593.1 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110828485B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 刘宁;苏同上;王庆贺;王东方;周斌;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,所述显示基板包括:基底,设置在所属基底上的驱动结构层,所述驱动结构层包括:有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的栅极和栅极信号走线,设置在所述栅极和栅极信号走线上的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的源漏电极和辅助阴极,其中,至少满足以下之一:所述栅极信号走线的厚度大于所述栅极的厚度,所述辅助阴极的厚度大于所述源漏电极的厚度。本实施例提供的方案,通过改变栅极信号走线与栅极的厚度差,辅助阴极与源漏电极的厚度差,减少了落差,减少了后续的过孔的深度,有利于实现搭接,提高了产品质量。
技术领域
本发明涉及显示技术,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
顶栅型TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)具有短沟道的特点,所以其开态电流Ion得以有效提升,因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。而且顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小,因而产生的寄生电容较小,所以发生GDS(Gate Data Short,即栅极走线与数据走线短路)等不良的可能性也降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点,所以越来越受到人们的关注。
近年来由于大尺寸AMOLED(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示产品具有高色域、高对比度、自发光等优点而广泛应用于电视等领域。在大尺寸、高分辨率例如8K等AMOLED显示面板制作过程中,因8K显示像素密集度特别高,如果仍采用传统的蒸镀结合底发射方式会导致像素开口率过低从而无法满足亮度需求等,所以目前产品主要采用顶发射结合打印原色发光材料的技术进行。为了使打印在阵列基板TFT上的原色发光材料的发光更为均匀且不同颜色之间互不干扰,需要采用SOG(Silicon Organic Glass,有机硅氧烷材料)对阵列基板进行平坦化处理,后续的反射阳极膜层很难搭接到SD(源漏极)处,容易发生搭接不良从而严重影响产品的显示质量。
发明内容
本发明至少一实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,提高产品显示质量。
为了达到本发明目的,本发明至少一实施例提供了一种显示基板,包括:基底,设置在所属基底上的驱动结构层,所述驱动结构层包括:有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的栅极和栅极信号走线,设置在所述栅极和栅极信号走线上的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的源漏电极和辅助阴极,其中,至少满足以下之一:所述栅极信号走线的厚度大于所述栅极的厚度,所述辅助阴极的厚度大于所述源漏电极的厚度。
在一实施例中,所述驱动结构层还包括设置在所述源漏电极和辅助阴极上的钝化层,设置在所述钝化层上的平坦化层,设置在所述平坦化层上的反射阳极和连接电极,所述反射阳极通过第一过孔连接所述源漏电极,所述连接电极通过第二过孔连接所述辅助阴极。
在一实施例中,所述平坦化层由有机硅氧烷材料制成。
在一实施例中,所述驱动结构层还包括:依次设置在所述基底和所述有源层之间的遮光层和缓冲层。
在一实施例中,所述栅极的厚度为所述栅极信号走线厚度的1/3~1/2。
在一实施例中,所述源漏电极的厚度为所述辅助阴极厚度的1/3~1/2。
本发明至少一实施例提供一种显示装置,所述显示装置包括上述实施例所述的显示基板。
本发明至少一实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
形成基底;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的