[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底，设置在所属基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括：有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的栅极和栅极信号走线，设置在所述栅极和栅极信号走线上的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的源漏电极和辅助阴极，其中，至少满足以下之一：所述栅极信号走线的厚度大于所述栅极的厚度，所述辅助阴极的厚度大于所述源漏电极的厚度；

所述驱动结构层还包括设置在所述源漏电极和辅助阴极上的钝化层，设置在所述钝化层上的平坦化层，所述平坦化层由有机硅氧烷材料制成；

所述栅极的厚度为所述栅极信号走线厚度的1/3～1/2；

所述源漏电极的厚度为所述辅助阴极厚度的1/3～1/2。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动结构层还包括设置在所述平坦化层上的反射阳极和连接电极，所述反射阳极通过第一过孔连接所述源漏电极，所述连接电极通过第二过孔连接所述辅助阴极。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动结构层还包括：依次设置在所述基底和所述有源层之间的遮光层和缓冲层。

4.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至3任一所述的显示基板。

5.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成基底；

形成设置在所述基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括：有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的栅极和栅极信号走线，设置在所述栅极和栅极信号走线上的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的源漏电极和辅助阴极，其中，至少满足以下之一：所述栅极信号走线的厚度大于所述栅极的厚度，所述辅助阴极的厚度大于所述源漏电极的厚度；

所述驱动结构层还包括设置在所述源漏电极和辅助阴极上的钝化层，设置在所述钝化层上的平坦化层，所述平坦化层由有机硅氧烷材料制成；

所述栅极的厚度为所述栅极信号走线厚度的1/3～1/2；

所述源漏电极的厚度为所述辅助阴极厚度的1/3～1/2。

6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述栅极和栅极信号走线基于如下方式制备：

在所述第一绝缘层上沉积第一金属薄膜，进行构图在栅极信号走线对应的位置形成图案；

再次沉积所述第一金属薄膜，构图形成栅极图案和栅极信号走线图案。

7.根据权利要求5或6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述源漏电极和辅助阴极基于如下方式制备：

在所述第二绝缘层上沉积第二金属薄膜，进行构图在辅助阴极对应的位置形成图案；

再次沉积所述第二金属薄膜，构图形成源漏电极图案和辅助阴极图案。