[发明专利]存储系统、半导体存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201911126930.0 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN111124958B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 赵完益;李相奎;金明寿;郑胜在 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G11C16/04;G11C16/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
公开了一种存储系统、半导体存储器件及其操作方法。所述存储系统包括:存储器控制器,输出命令、地址和数据;以及半导体存储器件,响应于命令、地址和数据来将至少一个页数据存储在每个存储器单元中,存储器控制器分开输出第一地址和第二地址,第一地址用来从数据中确定至少一个页数据,第二地址用来确定与至少一个存储器单元耦接的字线。
本申请是2013年10月23日提交的申请号为201310504502.3、发明名称为“存储系统、半导体存储器件及其操作方法”的专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年5月7日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0051174的韩国专利申请的优先权。上述申请的公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及一种电子设备及其操作方法,且更具体而言,涉及一种存储系统、半导体存储器件及其操作方法。
背景技术
本部分的陈述仅提供与本公开相关的背景信息,并不构成现有技术。半导体存储器件通常被分成易失性存储器件和非易失性存储器件。
易失性存储器件提供快速的读取和写入速度,但是在断电时丢失存储在存储器单元中的数据。非易失性存储器件具有较慢的读取和写入速度,但是在电源中断或阻断时仍保持数据。因而,为了存储无论是否有电都需要存储的数据时,采用非易失性存储器件。非易失性存储器件包括:只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻变RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。快闪存储器被分成或非(NOR)快闪存储器和与非(NAND)快闪存储器。
快闪存储器具有两个优点。第一,可以自由地编程和擦除数据——随机存取存储器(RAM)的优点。第二,即使在没有电时也可以保持数据——ROM的优点。快闪存储器广泛地用作诸如数码照相机、个人数字助理(PDA)、MP3播放器等的移动电子设备的存储媒介。
近来,由于在半导体存储器件中,包括在存储串中的存储器单元的数目、和存储在存储器单元中的数据的比特数目增加,所以发明人已经注意到以有效的方式来执行半导体存储器件的编程操作变得必要。
发明内容
根据一些实施例,一种存储系统包括存储器控制器和半导体存储器件。所述存储器控制器被配置成输出命令、地址和数据,并且分开输出第一地址和第二地址。所述半导体存储器件被配置成响应于命令、地址和数据来将至少一个页数据存储在每个存储器单元中。第一地址用来从数据中确定至少一个页数据,第二地址用来确定与至少一个存储器单元耦接的字线。
根据一些实施例,一种半导体存储器件包括存储器阵列和外围电路。所述存储器阵列被配置成包括与字线和位线耦接的存储器单元,并且将至少一个页数据存储在每个存储器单元中。所述外围电路被配置成响应于命令、地址和数据将至少一个页数据存储在每个存储器单元中。地址被分成用于从数据中确定至少一个页数据的第一地址、和用于确定字线的第二地址,并且所述外围电路被配置成接收输入至其的第一地址和第二地址。
根据一些实施例,存储系统被配置成将命令、地址和数据从存储器控制器输出至半导体存储器件,以及响应于命令、地址和数据将至少一个页数据存储在半导体存储器件中。
根据一些实施例,半导体存储器件被配置成输入命令、地址和数据,以根据用于确定至少一个页的第一地址来从数据中确定至少一个页数据;将确定的至少一个页数据存储在与根据用于确定字线的第二地址确定的字线耦接的存储器单元中。
附图说明
图1是根据至少一个实施例的存储系统的框图;
图2是根据至少一个实施例的图1中所示的半导体存储器件的框图;
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