[发明专利]存储系统、半导体存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201911126930.0 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN111124958B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 赵完益;李相奎;金明寿;郑胜在 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G11C16/04;G11C16/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种存储系统,包括:
存储器控制器,所述存储器控制器被配置成顺序地输出命令、地址和数据;以及
半导体存储器件,所述半导体存储器件被配置成响应于所述命令、所述地址和所述数据而将至少一个页数据存储在存储器单元中;
其中,所述存储器控制器被配置成分开地输出第一地址和第二地址,
其中,所述第一地址被用于从所述数据中确定所述至少一个页数据,以及所述第二地址被用于确定与所述存储器单元耦接的字线,以及
其中,在输出所述第一地址之后,从所述存储器控制器输出所述第二地址。
2.如权利要求1所述的存储系统,其中,所述存储器控制器被配置成以不同的地址组来输出所述第一地址和所述第二地址。
3.如权利要求1所述的存储系统,其中,所述半导体存储器件被配置成:
根据第一命令和所述第一地址,从所述数据中确定所述至少一个页数据;以及
根据第二命令和所述第二地址,将确定的所述至少一个页数据存储在所述存储器单元中。
4.如权利要求3所述的存储系统,其中,所述半导体存储器件被配置成同时将所述至少一个页数据存储在所述存储器单元中。
5.如权利要求1所述的存储系统,其中,所述半导体存储器件还包括:
存储器阵列,所述存储器阵列被配置成包括所述存储器单元;
控制逻辑,所述控制逻辑被配置成响应于所述第一地址和所述第二地址来产生第一控制信号和第二控制信号,以及
页缓冲器,所述页缓冲器被配置成响应于所述第一控制信号从所述数据中确定所述至少一个页数据,以及响应于所述第二控制信号将所述至少一个页数据存储在所述存储器单元中。
6.一种半导体存储器件,包括:
存储器阵列,所述存储器阵列被配置成包括与字线和位线耦接的存储器单元,以及将至少一个页数据存储在每个存储器单元中;以及
外围电路,所述外围电路被配置成响应于命令、地址和数据将所述至少一个页数据存储在每个存储器单元中;
其中,所述命令、所述地址和所述数据从控制器顺序地输入,
其中,所述地址被分成用于从所述数据中确定所述至少一个页数据的第一地址和用于确定所述字线的第二地址,并且所述外围电路被配置成接收输入至其的所述第一地址和所述第二地址,以及
其中,在接收所述第一地址之后接收所述第二地址。
7.如权利要求6所述的半导体存储器件,其中,所述外围电路被配置成:
根据第一命令和所述第一地址从所述数据中确定所述至少一个页数据;以及
根据第二命令和所述第二地址将确定的所述至少一个页数据存储在每个存储器单元中。
8.如权利要求7所述的半导体存储器件,其中,所述外围电路被配置成同时将所述至少一个页数据存储在每个存储器单元中。
9.如权利要求6所述的半导体存储器件,其中,所述第一地址和所述第二地址以不同的地址组被输入至所述外围电路。
10.如权利要求6所述的半导体存储器件,其中,所述外围电路包括:
控制逻辑,所述控制逻辑被配置成响应于所述命令、所述第一地址和所述第二地址来产生第一控制信号至第三控制信号;
页缓冲器,所述页缓冲器被配置成响应于所述第一控制信号从所述数据中确定所述至少一个页数据并存储所述至少一个页数据,以及响应于所述第二控制信号来将所述至少一个页数据加载至所述位线;以及
电源,所述电源被配置成响应于所述第三控制信号将操作电压供应至预定的字线。
11.如权利要求10所述的半导体存储器件,其中,所述页缓冲器被配置成包括至少一个锁存器单元,并且响应于所述第一控制信号而将所述至少一个页数据存储在所述至少一个锁存器单元中。
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