[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，所述方法利用湿法刻蚀的各向同性、光阻的分段灰化和剥离、以及利用电极层作为刻蚀的掩膜，从而制得了具有超短沟道的TFT器件的阵列基板。本发明通过湿法刻蚀以及光阻的灰化和剥离技术的结合，并使用电极层作为刻蚀的掩膜，从而制得了具有超短沟道的TFT器件，增大了开态电流和充电率，且本发明仅需四道光罩工艺，无需新增光罩数量，节省了工艺制程和制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及具有该阵列基板的显示装置。

背景技术

在TFT-LCD中，TFT器件的功能相当于一个开关管，常用的TFT器件是三端器件，一般在玻璃基板上制备半导体层，在其两端有与之相连的源极和漏极，利用施加在栅极上的电压来控制源、漏电极间的电流。

TFT器件工作在线性区，沟道相当于一个电阻，电流和沟道宽长比(W/L)呈正比，为了提升大尺寸面板的充电率，需要电阻够小才能够满足一定的开态电流和一定的充电率，但是由于像素开口率的限制，W不能过大，所以为了增大开态电流，将L缩小成为设计大尺寸面板的趋势。

传统方法由于曝光精度限制及其他因素会影响良率，所以无法实现大尺寸面板的超短沟道TFT器件。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，能够制得具有超短沟道的TFT器件，以解决现有的阵列基板中，由于曝光精度以及其他因素的影响，导致TFT器件的沟道长度无法进步一地减小，无法得到较大的开态电流和充电率，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：

S10、提供基板，依次制备第一金属层、绝缘层、半导体层、导通层、以及第二金属层于所述基板上；

S20、形成光阻层于所述第二金属层上，并且覆盖部分所述第二金属层，其中，所述光阻层具有凸起部对应所述第一金属层；

S30、依次去除未被所述光阻层覆盖的所述第二金属层、所述导通层、所述半导体层与所述绝缘层，以及去除所述凸起部以外的所述光阻层以暴露出部分所述第二金属层的上表面；

S40、去除未被所述凸起部覆盖的部分所述第二金属层以及对应的所述导通层，且剩余的所述第二金属层形成漏极；

S50、去除部分未被所述凸起部覆盖的所述半导体层，以暴露部分所述绝缘层，且剩余的所述半导体层形成有源层；

S60、去除部分所述凸起部，且所述有源层对所述基板的投影范围大于并完全涵盖剩余所述凸起部对所述基板的投影范围；

S70、制备电极层于剩余的所述凸起部、所述有源层的侧壁和部分上表面、以及所述绝缘层上；

S80、去除所述凸起部，并对所述有源层进行图案化，以形成沟道；以及

S90、对所述电极层进行图案化，以形成源极和像素电极，并制备钝化层覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极以及所述像素电极，以形成所述阵列基板。

根据本发明一优选实施例，在所述步骤S10中，所述第一金属层具有图案，且所述绝缘层、所述半导体层、所述导通层、以及所述第二金属层依次保形地形成于所述基板上。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S40还包括去除所述凸起部下方的部分所述第二金属层以及对应的所述导通层。

根据本发明一优选实施例，在所述步骤S60中，所述有源层对所述基板的投影范围大于并完全涵盖所述漏极或剩余的所述导通层对所述基板的投影范围。

根据本发明一优选实施例，所述方法包括四道光罩工艺，其中包括：