[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S10、提供基板，依次制备第一金属层、绝缘层、半导体层、导通层、以及第二金属层于所述基板上；

S20、形成光阻层于所述第二金属层上，并且覆盖部分所述第二金属层，其中，所述光阻层具有凸起部对应所述第一金属层；

S30、依次去除未被所述光阻层覆盖的所述第二金属层、所述导通层、所述半导体层与所述绝缘层，以及去除所述凸起部以外的所述光阻层以暴露出部分所述第二金属层的上表面；

S40、去除未被所述凸起部覆盖的部分所述第二金属层以及对应的所述导通层，且剩余的所述第二金属层形成漏极；

S50、去除部分未被所述凸起部覆盖的所述半导体层，以暴露部分所述绝缘层，且剩余的所述半导体层形成有源层；

S60、去除部分所述凸起部，且所述有源层对所述基板的投影范围大于并完全涵盖剩余所述凸起部对所述基板的投影范围；

S70、制备电极层于剩余的所述凸起部、所述有源层的侧壁和部分上表面、以及所述绝缘层上；

S80、去除所述凸起部，并对所述有源层进行图案化，以形成沟道；以及

S90、对所述电极层进行图案化，以形成源极和像素电极，并制备钝化层覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极以及所述像素电极，以形成所述阵列基板。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤S10中，所述第一金属层具有图案，且所述绝缘层、所述半导体层、所述导通层、以及所述第二金属层依次保形地形成于所述基板上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S40还包括去除所述凸起部下方的部分所述第二金属层以及对应的所述导通层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤S60中，所述有源层对所述基板的投影范围大于并完全涵盖所述漏极或剩余的所述导通层对所述基板的投影范围。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括四道光罩工艺，其中包括：

在所述步骤S10中，使用第一道光罩于所述第一金属层上，以形成栅极以及金属走线；

在所述步骤S20、S30、S40以及S50中，使用第二道光罩依次去除所述第二金属层、所述导通层、所述半导体层，以形成所述漏极以及所述有源层；

在所述步骤S60、S70以及S80中，使用第三道光罩于所述有源层上，以形成所述沟道；以及

在所述步骤S90中，使用第四道光罩于所述电极层上，以形成所述源极以及所述像素电极。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导通层以及所述电极层的材料各自独立地包括：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌或铝掺杂的氧化锌材料。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一金属层，设置于所述基板上，且所述第一金属层包括栅极以及金属走线；

绝缘层，设置于所述第一金属层上，并包覆所述栅极，其中所述绝缘层对应所述金属走线的区域设置有过孔；

有源层，设置于所述绝缘层上，且所述有源层上设置有沟道；

导通层，设于所述有源层上且覆盖所述沟道一侧的部分所述有源层；

第二金属层，包括漏极，所述漏极设于所述导通层上且覆盖所述导通层；

电极层，包括源极和像素电极，所述源极覆盖所述沟道另一侧的所述有源层和部分所述绝缘层，所述像素电极覆盖部分所述绝缘层且通过所述过孔与所述金属走线搭接；以及

钝化层，覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极以及所述像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述导通层、所述源极以及所述像素电极的材料各自独立地包括：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌或铝掺杂的氧化锌材料。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道的长度小于2微米。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7至9任一项所述的阵列基板。