[发明专利]半导体存储器装置、控制器、存储装置及其操作方法

说明书

本公开涉及一种控制器。该控制器控制半导体存储器装置的操作。该控制器包括擦除页面搜索控制器、命令生成器和数据接收器。擦除页面搜索控制器确定半导体存储器装置的搜索模式，基于该搜索模式在多个页面之中选择待搜索页面，并且生成对应于所选择页面的搜索控制信号。命令生成器基于搜索控制信号生成针对所选择页面的搜索读取命令。数据接收器从半导体存储器装置接收对应于搜索读取命令的搜索读取数据。搜索读取命令是用于控制半导体存储器装置通过将读取电压施加到包括对应于所选择页面的字线的多个字线来执行读取操作的命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月19日提交的申请号为10-2018-0165483的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种半导体存储器装置、控制器、具有该半导体存储器装置和该控制器的存储装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储器装置可具有二维结构或三维结构，其中在二维结构中，串布置在相对于半导体衬底的水平方向上，在三维结构中，串布置在相对于半导体衬底的垂直方向上。设计三维半导体存储器装置以克服二维半导体存储器装置中的集成度限制。三维构造的半导体存储器装置可包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。控制器可控制半导体存储器装置的操作。半导体存储器装置和控制器可构成存储装置。

发明内容

本公开的各个实施例提供了一种能够避免由读取干扰所引起的性能劣化的半导体存储器装置、控制器和具有该半导体存储器装置和控制器的存储装置。

本公开的各个实施例提供了一种能够避免由读取干扰所引起的性能劣化的半导体存储器装置和操作控制器的方法。

根据实施例，控制器可控制半导体存储器装置的操作。控制器可包括擦除页面搜索控制器、命令生成器和数据接收器。擦除页面搜索控制器可确定半导体存储器装置的搜索模式，基于该搜索模式在多个页面之中选择待搜索页面，并且生成对应于所选择页面的搜索控制信号。命令生成器可基于搜索控制信号生成针对所选择页面的搜索读取命令。数据接收器可从半导体存储器装置接收对应于搜索读取命令的搜索读取数据。搜索读取命令可以是用于控制半导体存储器装置通过将读取电压施加到包括对应于所选择页面的字线的多个字线来执行读取操作的命令。

数据接收器可将搜索读取数据传输到擦除页面搜索控制器。擦除页面搜索控制器可基于搜索读取数据来确定所选择页面是否是初始擦除页面。

初始擦除页面可以是用作所选择存储块的多个页面之中编程状态与擦除状态之间的边界的擦除页面。

当所选择页面不是初始擦除页面时，擦除页面搜索控制器可改变待搜索页面并生成对应于改变后页面的搜索控制信号。

擦除页面搜索控制器可通过二分搜索方法来改变待搜索页面。

擦除页面搜索控制器可通过线性搜索方法来改变待搜索页面。

控制器可进一步包括一般操作控制器。一般操作控制器可从主机接收请求并生成对应于该请求的一般控制信号。命令生成器可基于该一般控制信号生成一般操作命令，以控制半导体存储器装置的一般操作。

根据另一实施例，半导体存储器装置可包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可包括多个存储块。外围电路可对存储器单元阵列执行搜索读取操作。控制逻辑可基于从控制器接收的搜索读取命令控制外围电路对存储器单元阵列的所选择存储块执行搜索读取操作。在搜索读取操作期间，外围电路可通过将读取电压施加到与所选择存储块联接的多个字线之中的多个字线，并且将通过电压施加到多个字线之中的剩余字线来执行读取操作。

所选择存储块可包括第一页面至第n页面。从第一页面开始对第一页面至第n页面进行编程，并且具有较小编号的页面在具有较大编号的页面之前被编程，其中n是大于1的自然数。