[发明专利]一种PERC电池的加工方法在审
申请号: | 201910916276.7 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110752271A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 邵玉林;陶俊;张三洋 | 申请(专利权)人: | 无锡琨圣科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 漂洗 硅片 清洗 蚀刻工艺 烘干 提拉 添加剂 预处理 强碱 清洗添加剂 电池效率 硅片表面 混合溶液 磷硅玻璃 水温设置 工艺流程 氮排放 预清洗 刻蚀 去除 热氧 酸洗 脏污 整合 生产成本 背面 残留 电池 加工 | ||
1.一种PERC电池的加工方法,其特征在于,包括背蚀刻工艺,背蚀刻工艺包括以下步骤:
S1:预处理,通过采用KOH和H2O2预清洗去除硅片表面脏污;
S2:漂洗,采用纯水对硅片进行漂洗;
S3:碱背抛,采用强碱和碱背抛添加剂,碱背抛添加剂能够进一步抑制KOH和正面PSG反应,加速KOH与背面硅进行刻蚀;
S4:后清洗,清洗添加剂残留;
S5:酸洗,采用HF和HCL的混合溶液进行清洗;
S6:漂洗,采用纯水对硅片进行漂洗;
S7:慢提拉,慢提拉水温设置为60~90度;
S8:烘干,对硅片进行烘干。
2.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,在进行背蚀刻工艺之前,先进行链式氧化工艺,链式氧化工艺包括以下步骤:
S10:上料,激光SE后硅片正面朝上;
S20:热氧化,硅片氧化,氧化腔体温度范围为500~900度,氧气通入流量为0.1~20slm,氮气通入流量为0.1-20slm;
S30:喷水膜,氧化完成后表面喷射水膜;
S40:酸洗,在酸槽中采用浓度为2~20%HF酸清洗,清洗掉背面和四周的磷硅玻璃psg从而后续可通过槽式机对背面进行碱刻蚀;
S50:漂洗,在水槽中进行漂洗;
S60:烘干,将硅片表面水吹干;
S70:下料,通过下料机构使硅片下料。
3.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述KOH和H2O2 浓度范围为5~30%,温度为50~75度。
4.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,步骤S3中,所述强碱为碱浓度为5~30%的KOH或者NaOH。
5.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,步骤S4中,通过采用KOH和H2O2进行清洗。
6.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,步骤S5中,HF和HCL的浓度为10~50%。
7.根据权利要求1所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,步骤S8中,烘干温度为80~95度,通过鼓风机和高效过滤器持续鼓风同时通入1~20slm氮气。
8.根据权利要求2所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,在步骤S30中,喷水膜是在硅片表面喷射一定量的纯水,在表面张力作用下纯水均匀分布在硅片表面进行保护。
9.根据权利要求2所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,在步骤S20中,氧化腔体长度为20~1000cm。
10.根据权利要求1-9中任一权利要求所述的PERC电池的加工方法,其特征在于,步骤S1工艺时间为1-3min,步骤S2工艺时间为1-3min,步骤S1工艺时间为3-6min,步骤S4工艺时间为1-3min,步骤S5工艺时间为1-3min,步骤S6工艺时间为1-3min,步骤S7工艺时间为1-3min;步骤S8工艺时间为6-8min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡琨圣科技有限公司,未经无锡琨圣科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910916276.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的