[发明专利]半导体结构制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有多个分立的导电层；

在所述基底上形成覆盖所述导电层顶部以及侧壁的前驱物层，且所述前驱物层的顶面高于所述导电层的顶面；

对所述前驱物层进行预氧化处理，使所述前驱物层中高于所述导电层的顶面的前驱物层顶部转化为第一阻挡层，所述第一阻挡层的致密度大于所述前驱物层的致密度；

在含氧氛围下对所述前驱物层中位于所述第一阻挡层下方的前驱物层底部进行退火处理，在所述退火处理过程中，所述前驱物层底部内产生气体，以形成具有多个气孔的隔离层；

所述前驱物层的材料包括含有Si-N键与Si-H键的聚合物；所述隔离层的材料包括氧化硅。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述预氧化处理的温度为第一处理温度，所述退火处理的温度为第二处理温度，所述第一处理温度小于所述第二处理温度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述第一处理温度为10°C~450°C，所述第二处理温度为200°C~500°C。

4.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述预氧化处理在含氧气体的氛围下进行，且所述含氧气体流量为5sccm~2000sccm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述使所述前驱物层中高于所述导电层的顶面的前驱物层顶部转化为第一阻挡层，包括：形成的所述第一阻挡层的底面与所述导电层的顶面齐平，或者，形成的所述第一阻挡层的底面高于所述导电层的顶面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在进行所述退火处理之前，所述第一阻挡层的厚度与所述前驱物底部的厚度比值为0.1~0.25。

7.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，采用化学气相沉积或者旋转涂覆工艺形成所述前驱物层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在预设温度下进行化学气相沉积工艺，形成所述前驱物层，且所述预设温度为25°C~70°C。

9.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述退火处理过程中所述前驱物层底部内产生的气体包括NH₃、H₂或者N₂中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在所述退火处理过程中，所述第一阻挡层转化为第二阻挡层，且所述第二阻挡层的致密度大于所述第一阻挡层的致密度。

11.根据权利要求10所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述隔离层的顶面高于所述导电层的顶面；在形成所述隔离层之后，还包括：去除所述第二阻挡层以及高于所述导电层的顶面的隔离层，以使去除后的隔离层的顶面平齐于去除后的导电层的顶面；在所述导电层的顶面以及所述隔离层的顶面上形成第三阻挡层，且所述第三阻挡层的致密度大于所述隔离层的致密度。