[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，其中光入射到所述第二表面；像素区，其形成在所述衬底中；半导体光电转换器，其设置在所述像素区和所述衬底中；一个或多个晶体管，其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠；和分隔图案，其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0119518的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置。

背景技术

随着半导体装置尺寸的减小和性能的提高，用低电压驱动半导体装置。虽然用低电压驱动半导体装置，但半导体装置内的一些晶体管可能需要更高的电压。在这种半导体装置中，将不同电平的电压施加到设置了低驱动电压晶体管的区(region)和设置了高驱动电压晶体管的区。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，其中光入射到所述第二表面；像素区，其形成在所述衬底中；半导体光电转换器，其设置在所述像素区中和所述衬底中；一个或多个晶体管，其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠；和分隔图案，其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种半导体装置，包括：衬底，其包括第一区、第二区、第一表面和第二表面，所述第一区包括第一像素组，所述第二区包括第二像素组，所述第二表面面对所述第一表面并且具有入射到所述第二表面的光；分隔图案，其围绕所述第一区，并将所述第一区与所述第二区分隔开；和连接布线结构，其将所述第一区连接到可施加负电压的电源。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种半导体装置，包括：衬底，其包括第一区、第二区、以及彼此面对的第一表面和第二表面；栅电极，其设置在所述第一区的所述第一表面处；源极/极漏区，其设置在所述第一区的所述第一表面处并且设置在所述栅电极的至少一侧上；分隔图案，其围绕所述第一区以将所述第一区与所述第二区分隔开，其中所述分隔图案穿透所述衬底并从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；和连接布线结构，其将所述第一区连接到可施加负电压的电源。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面；像素区，其形成在所述衬底中；半导体光电转换器，其设置在所述像素区中和所述衬底中；第一晶体管，其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述第一晶体管不与所述半导体光电转换器重叠；连接布线结构，其设置在所述像素区中并且将所述第一晶体管连接到电源；和分隔图案，其围绕所述第一晶体管和所述连接布线结构。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的平面图；

图2是沿图1的线A-A'截取的剖视图；

图3是沿图1的线B-B'截取的剖视图；

图4是沿图1的线A-A'截取的剖视图；

图5是根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的框图；

图6示出了根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的衬底的区；

图7是图6的区域K的放大视图；

图8是图7的第一像素区的平面图；