[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910893072.6 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN111009536A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 林政昱;梁东主;崔性洙;薛斗植;郑胜基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
衬底,其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面,其中光入射到所述第二表面;
像素区,其形成在所述衬底中;
半导体光电转换器,其设置在所述像素区中和所述衬底中;
一个或多个晶体管,其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处,其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠;和
分隔图案,其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述分隔图案穿透所述衬底,并从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述衬底包括第一区和第二区,其中所述第一区被所述分隔图案围绕并且是所述像素区的第一部分,所述第二区是所述像素区的除了所述第一区之外的第二部分,并且所述半导体光电转换器设置在所述第二区中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,还包括连接布线结构,所述连接布线结构设置在所述第一区中并将所述第一区连接到电源。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述连接布线结构直接接触所述衬底的所述第一表面。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述连接布线结构直接接触所述衬底的所述第二表面。
7.根据权利要求4所述的半导体装置,还包括:
传输栅电极,其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处,以与所述半导体光电转换器重叠;和
传输栅极接触件,其连接到所述传输栅电极,
其中,所述连接布线结构与所述传输栅极接触件彼此连接。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上,所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠。
9.一种半导体装置,包括:
衬底,其包括第一区、第二区、第一表面和第二表面,所述第一区包括第一像素组,所述第二区包括第二像素组,所述第二表面面对所述第一表面并且具有入射到所述第二表面的光;
分隔图案,其围绕所述第一区并将所述第一区与所述第二区分隔开;和
连接布线结构,其将所述第一区连接到可施加负电压的电源。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述连接布线结构设置在所述第一区中。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中所述连接布线结构不连接到所述第二区。
12.根据权利要求10所述的半导体装置,其中所述连接布线结构直接接触所述衬底的所述第一表面。
13.根据权利要求10所述的半导体装置,其中所述连接布线结构直接接触所述衬底的所述第二表面。
14.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述分隔图案穿透所述衬底,并从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面。
15.根据权利要求9所述的半导体装置,其中通过深沟槽隔离结构将所述第一像素组的像素区彼此分隔开,所述深沟槽隔离结构设置在所述衬底内并且从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸,所述像素区中的每一个包括半导体光电转换器和传输晶体管,所述传输晶体管设置在所述衬底的所述第一表面处以与所述半导体光电转换器重叠,其中所述连接布线结构直接接触所述衬底的所述第一表面或所述衬底的所述第二表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的