[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

蚀刻停止图案，该蚀刻停止图案包括顶表面和侧壁；

栅极层叠物，该栅极层叠物包括在所述蚀刻停止图案下方交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案；

多个沟道结构，所述多个沟道结构穿过所述蚀刻停止图案和所述栅极层叠物；

绝缘层，该绝缘层延伸以覆盖所述蚀刻停止图案的顶表面和侧壁，其中，在所述绝缘层的侧壁中包括凹陷；以及

接触插塞，该接触插塞穿过所述绝缘层，以使得该接触插塞联接到所述多个沟道结构中的沟道结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层的侧壁中的所述凹陷与穿过所述蚀刻停止图案的所述沟道结构的各个上端交叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层包括：

垂直部，该垂直部设置在所述蚀刻停止图案的侧壁上；以及

水平部，该水平部从所述垂直部延伸以覆盖所述蚀刻停止图案的顶表面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述水平部在与多个所述层间绝缘层和多个所述导电图案层叠的方向交叉的横向方向上比所述垂直部突出更远，并且

其中，所述栅极层叠物在所述横向方向上比所述垂直部突出更远。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述绝缘层的侧壁中的所述凹陷形成在所述垂直部的侧表面中。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括阻挡绝缘层，该阻挡绝缘层延伸以覆盖所述垂直部的侧表面以及比所述垂直部突出更远的所述水平部的表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，所述阻挡绝缘层沿着多个所述导电图案与多个所述层间绝缘层之间的各个界面延伸，并且

其中，所述阻挡绝缘层延伸以覆盖多个所述导电图案的面向所述沟道结构的各个侧壁。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述蚀刻停止图案包括具有与所述绝缘层的蚀刻速率不同的蚀刻速率的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述蚀刻停止图案包括氮化物，并且所述绝缘层包括氧化物。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括垂直结构，该垂直结构延伸以覆盖所述栅极层叠物的侧壁和所述绝缘层的侧壁，其中，该垂直结构包括朝着包括在所述绝缘层的侧壁中的所述凹陷突出的突起。

11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成包括交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层的层叠物；

在所述层叠物上形成蚀刻停止层；

形成绝缘层，该绝缘层包括穿过所述蚀刻停止层的多个垂直部；

形成狭缝，该狭缝延伸以穿过彼此相邻的多个所述垂直部之间的所述蚀刻停止层并且延伸以穿过所述层叠物；以及

通过所述狭缝利用线图案替换所述第二材料层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻停止图案包括具有与所述绝缘层的蚀刻速率不同的蚀刻速率的材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻停止层包括氮化物，并且所述绝缘层包括氧化物。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻停止层和所述第二材料层包括相同的材料。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括以下步骤：

形成穿过所述蚀刻停止层的沟槽；以及

在所述蚀刻停止层上形成所述绝缘层，使得所述沟槽由所述绝缘层的所述垂直部填充。